Предложен новый метод стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии, основанный на имплантации ионов щелочных металлов в поверхностный слой твердого тела и последующем его нагреве при температуре, обеспечивающей оптимальное покрытие поверхности атомами-активаторами (около 0.5 монослоя), щелочными атомами. Показано, что путем подбора дозы имплантаци щелочных ионов (10¹⁸-10¹⁹ cm^-3) и температуры нагрева поверхности исследуемого образца (500-900^oC) можно достичь такой степени возобновляемого покрытия поверхности атомами-активаторами, при котором ее работа выхода становится самой минимальной: evarphi=1.9 eV - для молибдена и 2.1 eV - для меди. Установлено, что при таких подобранных величинах дозы имплантации (облучения) и температуры нагрева образца можно за счет диффузии атомов цезия из объема на поверхность достичь такой степени покрытия поверхности, которая сохраняется за время непрерывного распыления поверхности пучком ионов цезия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.