Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетическая модель роста нитевидных нанокристаллов арсенида галлия
Лубов М.Н., Куликов Д.В., Трушин Ю.В.1,2,3
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: trushin@theory.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Разработана кинетическая модель роста и формирования кристаллических структур нитевидных нанокристаллов арсенида галлия при молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхностях, активированных каплями Au. Проведены расчет и сравнение с экспериментальными данными толщины чередующихся слоев кубической и гексагональной фаз, возникающих из-за флуктуаций состава раствора в капле.
- Hiruma K., Yazawa M., Katsuyama T., Haraguchi K., Ogawa K., Haraguchi K., Koguchi M., Kakibayashi H. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. N 2. P. 447
- Qian F., Li Y., Gradecak S., Wang D., Barrelet C.J., Lieber C.M. // Nano Lett. 2004. Vol. 4. N 45. P. 1975
- Koguchi M., Kakibayashi H., Yasawa M., Hiruma K., Katsuyama T. // Jpn. Appl. Phys. 1992. Vol. 31. N 22. P. 2061
- Seifert W., Borgstrom M., Deppert K., Dick K.A., Johansson J., Larsson M.W., Martensson T., Skold N., Svensson C.P.T., Wacaser B.A., Wallenberg L.R. // J. Cryst. Growth. 2004. Vol. 272. P. 211
- Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Cirlin G.E., Tonkikh A.A., Samsonenko Yu.B., Sibirev N.V., Ustinov V.M. // Phys. Status Solidi B. 2004. Vol. 241. N 7. P. R30
- Schubert L., Werner P., Zakharov N.D., Gerth G., Kolb F.M., Long L., Gosele U., Tan T.Y. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 496
- Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. Vol. 4. N 3. P. 89
- Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 304 с
- Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 16. С. 41.
- Сошников И.П., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Самсоненко Ю.Б., Дубровский Г.Э., Устинов В.М., Горбенко О.М., Litvinov D., Gerthsen D. // ФТТ. 2005. Т. 47. Вып. 12. С. 2121
- Person A.I., Larsson M.W., Stenstroem S., Ohlsson B.J., Samuelson L., Wallenberg L.R. // Nature Mater. 2004. Vol. 3. N 21. P. 677
- Glas F., Harmand J.C., Patriarche G. // PRL. 2007. Vol. 99. N 14. P. 146 101
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т. V. М.: Наука, 2003. 616 с
- Ohlsson B.J., Bjork M.T., Magnusson M.H., Deppert K., Samuelson L., Wallenberg L.R. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 20
- Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1981. 257 с
- Любов Б.Я. Диффузионные изменения дефектной структуры твердых тел. М.: Металлургия, 1985. 208 с
- Трушин Ю.В. Радиационные процессы в многокомпонентных материалах (теория и компьютерное моделирование). СПб., 2002. 384 с
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // УФН. 1998. Т. 168. N 10. С. 1083
- Mueller P., Kern R. // Appl. Surf. Sci. 1993. Vol. 292. N 78. P. 123
- Osipov A.V., Schmitt F., Kukushkin S.A., Hess P. // Appl. Surf. Sci. 2002. Vol. 188. P. 156
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Harmand J.C., Glas F. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 78. P. 235 301.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
