"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности диэлектрических свойств тонких сегнетоэлектрических пленок Sn2P2S6, полученных методом термического испарения
Санджиев Д.Н.1, Абдулвахидов К.Г.1, Шонов В.Ю.1, Раевский И.П.1
1Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
Email: kam@phys.rsu.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Исследованы структура, микроструктура, температурные и полевые зависимости диэлектрических свойств тонких (0.5-8 mum) пленок сегнетоэлектрика Sn2P2S6, полученных методом вакуумного термического испарения в квазизамкнутом объеме на подложках из стекла и алюминиевой фольги. Зависимость диэлектрических свойств от толщины и частоты, а также униполярность вольт-фарадных характеристик, объясняются наличием приповерхностных барьерных слоев типа Шоттки. PACS: 77.55.+f, 77.80.-e
  1. Lupeiko T.G., Lopatin S.S. // Inorgaic Materials. 2004. Vol. 40. Suppl. 1. P. S19--S32
  2. Tyagur Y., Tyagur I., Kopal A., Burianova L., Hana P. // Ferroelectrics. 2005. Vol. 320. P. 35--42
  3. Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Аноксидные материалы для электронной техники. Львов: Изд-во ЛГУ, 1989. С. 141
  4. Samulionis V., Banys J. // J. Europ. Ceramic Soc. 2005. Vol. 25. P. 2543--2546
  5. Maior M.M., Prits I.P., Gurzan M.I., Vysochanskii Yu.M. // Ferroelectrics. 2001. Vol. 249. P. 227--236
  6. Maior M.M., Prits I.P., Vrabel V.T., Vysochanskii Yu.M., Potorii M.V., Kikineshi A.A., Kis-Varga M., Csik A. // Ferroelectrics. Letters Section. 2006. Vol. 33. P. 31--38
  7. Bogomolov A.A., Solnyshkin A.V., Kiselev D.A., Raevsky I.P., Protzenko N.P., Sandjiev D.N. // J. Europ. Ceramic Soc. 2007. Vol. 27. P. 3835--3838
  8. Arnautova E., Sviridov E., Rogach E., Savchenko E., Grekhov A. // Integrated Ferroelectrics. 1992. Vol. 1. P. 1--4.
  9. Шаркань И.П., Микуланинец С.В., Довгошей Н.И., Фирцак Ю.Ю., Гурзан М.И. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1981. Т. 17. Вып. 4. С. 731--732
  10. Довгошей Н.И. Тонкие пленки новых сложных полупроводников. Ужгород: Изд-во УжГУ, 1986. С. 65
  11. Кондратов А.В., Потапенко А.А. Термическое испарение в вакууме при производстве изделий радиоэлектроники. М.: Радио и связь, 1986. С. 12
  12. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Физика сегнетоэлектрических пленок. Ростов-на-Дону: Изд-во РГУ, 1979. С. 190
  13. Майор М.. М., Высочанский Ю.М., Рогач Е.Д., Савенко Ф.И., Кудинов А.П. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1991. Т. 27. Вып. 3. С. 604--606

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.