Хемосорбция водорода углеродными нанотрубками
Булярский С.В., Басаев А.С.1
1Технологический центр МИЭТ,, Москва, Россия
Email: bsv@ulsu.ru
Поступила в редакцию: 3 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Методами термодинамики и кинетики исследована хемосорбция водорода углеродными нанотрубками (УНТ). Получены выражения для изотермы адсорбции и кинетики десорбции. Разработаны методы получения параметров хемосорбции. Определена парциальная свободная энергия связи водорода с УНТ - 3.6 eV. Показано, что в процессе длительного отжига при повышенных температурах из УНТ удаляются остаточные продукты синтеза. Сделана оценка емкости углеродной нанотрубки по отношению к хемосорбированному водороду, которая дает величину 4 mass.%. PACS: 68.43.-h, 68.43.De, 68.43.Mn, 61.48+c
- Loiseau A., Launous P., Petit P. Understanding Cardon Nanotubes. Springer, 2006. 552 p
- Ijima S. // Nature. 1991. Vol. 354. P. 6348--6352
- Tchernatinsky A., Nagabhinrava B., Desai S. <arXiv: cond-mat/0502012v1, 2005>
- Ulbricht H., Moos G., and Hertel T. <arXiv: cond-mat/0204525. vl, 2005>
- Dillon A.C., Jonse K.M., Bekkedhai T.A. and Kiang C.H. // Nature. 1997. Vol. 386. P. 377--382
- Ye. Y., Ahn C., Witham C., and Fultz B. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74. P. 2307--2311
- Liu C., Fan Y.Y., Liu M., and Cong H.T. // Science. 1999. Vol. 286. P. 1127--1133
- Трепнел Б. Хемосорбция. М.: ИЛ, 1958. 327 с
- Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973. 399 с
- Томилин Ф.Н., Абрамов П.В. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 6. С. 1143--1146
- Зарифьянц Ю.А. // ЖФХ. 1964. Т. 38. С. 2655--2664
- Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1978. 255 с
- Bulyarsky S.V., Oleinicov V.P. // Phys. Stas. Sol. (b). 1987. Vol. 141. P. K7--K10
- Bulyarsky S.V., Oleinicov V.P. // Phys. Stas. Sol. (b). 1988. Vol. 146. P. 439--447
- Булярский С.В., Фистуль В.В. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1997. 351 с
- Ning G.Q., Wei F., Luo G.Y., Wan Q.X., Wu Y.L., Yu H. // Appl. Phys. F. 2004. Vol. 78. P. 955--959
- Булярский С.В., Светухин В.В. Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках. Ульяновск: Изд-во Ульяновского университета, 2003
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук