Вышедшие номера
Поляризационная фоточувствительность барьеров Шоттки на кристаллах ZnAs2 моноклинной модификации
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Методом направления кристаллизации близкого к стехиометрическому составу соединения расплава выращены монокристаллы ZnAs2 моноклинной модификации, на которых созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки Cu(In)/p-ZnAs2 и получены их первые спектры фоточувствительности в естественном и линейнополяризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность новых структур. На основании анализа спектров фотоактивного поглощения моноклинной модифицации ZnAs2 установлено, что минимальные прямые межзонные переходы в этих кристаллах преимущественно разрешены в поляризации E|| оси OZ и могут быть использованы, в частности, при создании новых устройств - поляризационно-управляемых переключателей спектрального диапазона фоторегистрации падающего излучения. PACS: 78.20.-e, 81.15.-z