Вышедшие номера
Нейтрализация ионного пучка торцевого холловского ускорителя плазменным источником электронов на основе разряда в скрещенных Ex H полях
Достанко А.П.1, Голосов Д.А.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: dmgolosov@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Исследована возможность использования плазменного источника электронов (ПИЭЛ) с рязрядом в скрещенных Ex H полях для компенсации ионного пучка ионного источника на основе торцевого холловского ускорителя (ТХУ). Используемый в качестве нейтрализатора ПИЭЛ располагался в непосредственной близости от области генерации и ускорения ионов ТХУ под углом 90o к оси источника. Установлены зависимости разрядных и эмиссионных характеристик ТХУ при работе с накальным нейтрализатором и плазменным источником электронов. Установлено, что максимальный ток разряда ионного источника, при котором соблюадалось условие скомпенсированности разряда ТХУ, достигал 3.8 A при работе с ПИЭЛ и 4 A при работе с накальным компенсатором. Установлено, что максимальный ток разряда ионного источника показывает сильную зависимость от потока рабочего газа в ТХУ при небольших расходах газа (до 10 ml/min); далее максимальный ток разряда ТХУ зависит только от эмиссионной способности ПИЭЛ. Исследования эмиссионных характеристик ТХУ с накальным и плазменным нейтрализатором показали, что ток ионного пучка и профиль распределения плотности ионного тока не зависят от типа источника электронов, и плотность ионного тока достигает 0.2 mA/cm2 на расстоянии 25 cm от анода ТХУ. На основе анализа работы ТХУ с различными источниками электронов рассмотрен баланс токов системы ионный источник-источник электронов. Сделан вывод, что для работы ионного источника в режиме скомпенсированности разряда ток нейтрализации должен быть равен или больше тока разряда ионного источника. Использование ПИЭЛ для компенсации ионного пучка торцевого холловского ускорителя продемонстрировало высокую эффективность в процессах ионно-асистированного нанесения тонких пленок с использованием реактивных газов (O2, N2). Применение ПИЭЛ позволило на порядок повысить ресурс работы системы ионно-ассистированного нанесения, который составил не менее 60 h при использовании Ti-катода и ограничивался временем до замены распыленной катодной вставки. PACS: 52.59.Bi, 29.27.Eg
  1. Helmerssona U., Lattemanna M., Bohlmarka J., Ehiasarianb A.P., Tomas J. // Thin Solid Films. 2006. Vol. 513. P. 1--24
  2. Cho J.S., Han S., Kim K.H., Beag Y.W., Koh S.K. // Thin Solid Films. 2003. Vol. 445. P. 332--341
  3. Pawlewicz W.T., Culver T.R., Chiello M.W., Zachistal J.H., Walters S.R., Allen D.A. // Proc. SPIE. 1994. Vol. 2262. P. 1--12
  4. Kaufman H.R., Robinson R.S., Seddon R.I. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1987. Vol. 5. P. 2081--2084
  5. Reyntjens S., Puers R.A. // J. Micromech. Microeng. 2001. Vol. 11. P. 287--300
  6. Shabalin A., Kishinevsky M., Quinn C. // Proc. of the 44-=SUP=-th-=/SUP=- Annual Technical Conf. Philadelphia, 2001. P. 23--28
  7. Голосов Д.А., Свадковский И.В. // Матер. междунар. научной школы-конф. "Тонкие пленки и наноструктуры". М., 2004. С. 148--151

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.