Влияние плотности ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута, криптона и ксенона на развитие водородных блистеров в кремнии
Реутов В.Ф., Залужный А.Г., Кобзев А.П., Сохацкий А.С.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская область, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
Приведены экспериментальные результаты, свидетельствующие о радиационно-индуцированном атермическом выходе водорода из монокристаллического кремния при облучении высокоэнергетичными тяжелыми ионами Bi+ (E=710 MeV), Kr+ (E=85 и 250 MeV) и Xe+ (E=130 MeV). Уменьшение концентрации водорода зависит от величины удельных ионизационных потерь энергии высокоэнергетичными тяжелыми ионами. При высоких удельных ионизационных потерях ионами Bi+ с E=710 MeV (22.5 keV/nm) концентрация водорода уменьшается до значения, не позволяющего визуализировать блистеры в оптическом и электронном микроскопах (по-видимому, до 1 at.% в пике расчетного концентрационного профиля водорода). При средних значениях удельных ионизационных потерь энергии (12.5 keV/nm - облучение ионами Xe+ с E=130 MeV, 9.5 keV/nm - облучение ионами Kr+ с E=250 MeV, 8.5 keV/nm - облучение ионами Kr+ с E=85 MeV) концентрация водорода уменьшается лишь до уровня, не влияющего на формирование блистеров, однако определяющего условия их разрушения, т. е. формирование флэкингов. PACS: 61.82.-d, 61.82.Fk, 67.80.Mg
- Реутов В.Ф., Ибрагимов Ш.Ш. Способ изготовления тонких пластин кремния. А.с. СССР N 1282757. 30.12.1983
- Bruel M. Patent USA N 5 374 564. 1995
- Bruel M. // Electron. Lett. 1995. Vol. 31. N 14. P. 1201--1202
- Tong Q.-Y., Gutjar K., Hopfe S., Gosele U., Lee T.-H. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. N 11. P. 1390--1392
- Tong Q.Y., Scholz R., Gosele U. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 72. N 1. P. 49--51
- Agarwall A., Haynes T.E. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 72. N 9. P. 1086--1088
- Реутов В.Ф., Дмитриев С.Н. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. Вып. 5. С. 41--45
- Реутов В.Ф., Реутов И.В. Способ изготовления образца для электронно-микроскопических исследований и устройство для его осуществления. Патент РФ N 2186359. 27.7.2002
- Reutov V.F. // J. Nucl. Mater. 1996. Vol. 233--237. P. 1586--1589
- Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Ю.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с
- Fink D., Krauser J., Nagengast D. et al. // Appl. Phys. A. 1995. Vol. 61. N 4. P. 381--389
- Brice D.K., Doyle B.L. // Nucl. Mater. 1981. Vol. 103--104. P. 503--508
- Jeng S.J., Oehrlein G.S. // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 50. N 26. P. 1912--1914
- Jeng S.J., Oehrlein G.S., Scilla G.J. // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 53. N 18. P. 1735--1737
- Gerasimenko N.N., Rolle M., Cheng Li-Jen et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 1978. Vol. 90. P. 689--695
- Keinonen P., Hautala M., Rauhala E. et al. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37. N 9. P. 8269--8274
- Brusa R.S., Duarte Naia M., Zecca A. et al. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. N 11. P. 7271--7280
- Александров П.А., Баранова Е.К., Баранова И.В. и др. // Тр. IX Межнац. совещ. "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, 1999. М.: МИЭМ, 1999. Т. 1. С. 330--337
- Estreiher S.K., Hastings J.L., Fedders P.A. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. N 20. P. 12663--12666
- Cerofolini C.E., Meda L., Balboni R. et al. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46. P. 2061--2070
- Wong-Leung J., Ascheron C.E., Petravic M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. P. 1231--1233
- Lu X., Cheung N.W., Strathman M.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 1804--1806
- Ascheron C., Riede V., Sobata H., Neumann H. // Radiat. Eff. Def. Solids. 1990. Vol. 115. P. 145--155
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук