Вышедшие номера
Моделирование кинетики температурно-программированной десорбции воды с поверхности полупроводников n-GaAs(100) и n-GaP(100)
Скутин Е.Д.1
1Омский государственный технический университет, Омск, Россия
Email: skutin@omgtu.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Методом температурно-программированной десорбции (ТПД) воды изучен энергетический спектр адсорбционных центров поверхности полупроводников n-GaAg(100) и n-GaP(100). Для анализа спектров ТПД использована модель дискретных адсорбционных центров, особенностью которой является наличие слабосвязанного предсостояния. Полученные значения частотных факторов и энергий активации десорбции хорошо согласуются с частотой электронных переходов и энергетическими уровнями поверхностных электронных состояний арсенида и фосфида галлия. Сделан вывод о лимитировании кинетики десорбции воды медленными электронными процессами на поверхности исследованных полупроводниковых материалов. PACS: 68.43.Vx, 68.43.-h, 73.20.-r