Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2009, выпуск 5 » Статья стр. 101
<<<>>>
Моделирование кинетики температурно-программированной десорбции воды с поверхности полупроводников n-GaAs(100) и n-GaP(100)
Скутин Е.Д.1
1Омский государственный технический университет, Омск, Россия
Email: skutin@omgtu.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.
PDF версия
Методом температурно-программированной десорбции (ТПД) воды изучен энергетический спектр адсорбционных центров поверхности полупроводников n-GaAg(100) и n-GaP(100). Для анализа спектров ТПД использована модель дискретных адсорбционных центров, особенностью которой является наличие слабосвязанного предсостояния. Полученные значения частотных факторов и энергий активации десорбции хорошо согласуются с частотой электронных переходов и энергетическими уровнями поверхностных электронных состояний арсенида и фосфида галлия. Сделан вывод о лимитировании кинетики десорбции воды медленными электронными процессами на поверхности исследованных полупроводниковых материалов. PACS: 68.43.Vx, 68.43.-h, 73.20.-r
  1. Larsen J.H., Chorkendorff I. // Surf. Sci. Rep. 1999. Vol. 35. N 5--8. P. 163--222
  2. Скутин Е.Д., Буданова Е.М., Лещинский С.С. // Журн. аналит. хим. 2004. Т. 59. N 12. С. 1259--1263
  3. Francois M., Joly J.P., Kapsa P., Jacquemard P. // Carbon. 2007. Vo. 45. P. 124--131
  4. Поздняков А.О., Гинзбург Б.М., Маричева Т.А. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. Вып. 12. С. 2239--2245
  5. Li Q., Tok E.S., Zhang J., Kang H.C. // J. Chem. Phys. 2007. Vol. 126. N 4. P. 044 706 (15)
  6. Шкилев В.П. // Журн. физ. хим. 1999. Т. 73. N 8. С. 1437--1442
  7. Koch K., Hunger B., Klepel O., Heuchel M. // J. Catalysis. 1997. Vol. 172. N 1. P. 187--193
  8. Tovbin Yu.K., Votyakov E.V. // Langmuir. 1999. Vol. 15. N 18. P. 6070--6082
  9. Viswanatha R., Sapra S., Saha-Dasgupta T., Sarma D.D. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. N 4. P. 045 333 (10)
  10. Ehrlich G. // J. Phys. Chem. Solids. 1956. Vol. 1. N 1--1. P. 3-13
  11. Barth J.V. // Surf. Sci. Rep. 2000. Vol. 40. N 3--5. P. 75-149
  12. Alnot M., Cassuto A. // Surf. Sci. 1981. Vol. 112. N 3. P. 325-342
  13. Агеев В.Н. // Поверхность. 1984. N 3. С. 5--26
  14. Kisliuk P. // J.. Phys. Chem. Solids. 1975. Vol. 4. N 1--2. P. 95--101
  15. Kisliuk P. // J. Phys. Chem. Solids. 1958. Vol. 5. N 1--2. P. 78-84
  16. Wang J., Burghaus U. // J. Chem. Phys. 2005. Vol. 123. N 18. P. 184 716 (12)
  17. Wilson K.L., Baskes M.I. // J. Nucl. Mater. 1978. Vol. 76--77. P. 291--297
  18. Znao X., Outlaw R.A., Wang J.J. et al. // J. Chem. Phys. 2006. Vol. 124. N 19. P. 194 704 (6)
  19. Schonhammer K. // Surf. Sci. 1979. Vol. 83. N 2. P. L633-L636
  20. King D.A. // Surf. Sci. 1977. Vol. 64. N 1. P. 43--51
  21. Cassuto A., King D.A. // Surf. Sci. 1981. Vol. 102. N 2--3. P. 388--404
  22. Банди Б. Методы оптимизации. Вводный курс. М.: Радио и связь, 1988. 128 с
  23. Эммануэль Н.М., Кнорре Д.Г. Курс химической кинетики. М.: Высш. школа, 1984. 463 с
  24. Tait S.L., Dohnalek Z., Campbell C.T., Kay B.D. // J. Cham. Phys. 2005. Vol. 122. N 16. P. 164 708 (13)
  25. Trenhaile B.R., Antonov V.N., Xu G.J., Nakayama K.S., Weaver J.H. // Surf. Sci. 2005. Vol. 583. N 1. P. L135--L141
  26. Spicer W.E., Lindau I., Skeath P., Su C.Y., Chye P. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 44. N 6. P. 420--423
  27. Chiaradia P., Fanfoni M., Nataletti P. et al. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39. N 8. P. 5128--5131
  28. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 432 с
  29. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 482 с
  30. Лебедев М.В. // ФТТ. 2006. Т. 48. Вып. 1. С. 152--158
  31. Ebert Ph., Engels B., Richard P. et al. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. N 14. P. 2997--3000
  32. Semmler U., Simon M., Ebert Ph., Urban K. // J. Chem. Phys. 2001. Vol. 114. N 1. P. 445--451
  33. Ebert Ph., Quadbeck P., Urban K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. N 18. P. 2877--2879
  34. Sexton J.Z., Yi S.I., Hale M. et al. // J. Chem. Phys. 2003. Vol. 119. N 17. P. 9191--9198

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme