Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2009, выпуск 3 » Статья стр. 71
<<<>>>
Электрические свойства и фоточувствительность гетероструктур, полученных термическим разложением водного раствора нитрата галлия на поверхности скола селенида индия (0001)
Драпак С.И., Юрценюк Н.С., Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: drapak@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 4 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
PDF версия
Показана принципиальная возможность использования метода термического разложения водного раствора нитрата галлия в воздушной атмосфере на поверхности полупроводниковой подложки для изготовления структур, чувствительных в ближней УФ-области спектрального дипазаона. Представлены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур Ga2O3-n- (p-)InSe. Обнаружено, что возникновение высокоомного слоя на границе раздела InSe-Ga2O3 оказывает влияние не только на электрические свойства, но и на спектральное распределение фоточувствительности исследуемых гетероструктур. Сделано предположение о том, что токовая нестабильность с Z- и N-образными обратными ветвями вольт-амперных характеристик структур Ga2O3-p-InSe является следствием неоднородности распределения легирующей примеси в объеме квазидвумерного селенида индия p-типа проводимости. PACS: 73.40.Lq, 78.66.-w
  1. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025--1055
  2. Savchyn V.P., Kytsai V.B. // Thin Solid Films. 2000. Vol. 361--362. N 1--2. P. 123--125
  3. Hariu T., Sasaki S., Adachi H., Shibata Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 1977. Vol. 16. N 5. P. 841--842
  4. Tippins H.H. // Phys. Rev. 1965. Vol. 140. N 1A. P. A316--A319
  5. Lorenz M.R., Woods J.F., Gambino R.J. // J. Phys. Chem. Solids. 1967. Vol. 28. N 3. P. 403--404
  6. Orita M., Hiramatsu H., Ohta H., Hirano M., Hosono H. // Thin Solid Films. 2002. Vol. 411. N 1. P. 134--139
  7. Martinez-Pastor J., Segura A., Valdes J.L., Chevy A. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. N 4. P. 1477--1483
  8. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. N Y: Willey-Intersci, 1981. 456 p
  9. Лебедев А.А., Лебедев А.А., Давыдов Д.В. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 1. С. 113--116
  10. Драпак С.И., Гаврилюк С.В., Ковалюк З.Д., Литвин О.С. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 4. С.423--430
  11. Драпак С.И., Ковалюк З.Д. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 9. С. 76--80
  12. Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
  13. Pupysheva O.V., Dmitriev A.V., Ferajian A.A., Mizuseki H., Kowazoe Y. // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 100. N 3. P. 033 718-1--033 718-9
  14. Pupysheva O.V., Dmitriev A.V. // Physica E. 2003. Vol. 18. N 1--3. P. 290--291
  15. Драпак С.И., Ковалюк З.Д. // Физ. хим. тв. тела. 2004. Т. 5. Вып. 2. С. 292--298

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme