Влияние зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на процессы образования голографических дифракционных решеток
Настас А.М.1, Андриеш А.М.1, Бивол В.В.1, Присакар А.М.1, Тридух Г.М.1
1Центр оптоэлектроники института прикладной физики АН Молдавии, Кишинев, Молдавия
Email: nastas_a@usm.md
Поступила в редакцию: 24 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.
Исследованы процессы регистрации оптических голографических интерференционных решеток на основе фотоструктурных превращений в тонкопленочных (~1 mum) полупроводниковых слоях As2S3 и As2Se3 как в поле коронного разряда, так и без него, а также процесс химического травления образованных голографических дифракционных решеток. Показано, что использование коронного разряда на стадии записи интерференционных решеток приводит к улучшению экспозиционно-контрастной характеристики тонкослойных структур металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник. Голографическая чувствительность, дифракционная эффективность, динамический диапазон и контраст в несколько раз улучшаются. При селективном химическом травлении дифракционных решеток, сформированных в этих полупроводниковых слоях, в присутствии коронного разряда происходит увеличение степени регулярности протравленных рельефно-фазовых голографических дифракционных решеток, увеличение глубины их рельефа на 25-30% и дифракционной эффективности на 30-50%. PACS: 81.05.Ge
- Schwartz K. The physics of Optical Recording, Berlin: Springer--Verlag, 1993
- Несеребряные фотографические процессы / Под ред. А.Л. Картужанского. Л.: Химия, 1984. С. 193--241
- Индутный И.З., Костышин М.Т., Касярум О.П. и др. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл--полупроводник. Киев: Наукова думка, 1992. 240 с
- Андриеш А.М., Милючихин В.Н., Тридух Г.М., Циуляну Д.И. // Тез. докл. Всес. конф. "Регистрирующие среды, методы и аппаратура голографии". Кишинев, 1980. Секция 1. С. 64
- Бурдиян И.И., Выговский Ю.Н., Фещенко И.С. БШШФ. Материалы школ по голографии http: // bsfp.media-security.ru/bsff2/bb04cn2.htm. 1999
- Настат А.М., Андриеш В.В., Бивол А.М., Присакарь Г.М., Тридух Г.М. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 1. С. 89--94
- Настас А.М. // Опт. и спектр. 2003. Т. 95. N 1. С. 156--162
- Shimakawa K. // J. of Optoelectr. and Adv. Mat. 2005. Vol. 7. N 1. P. 145--151
- Eiseberg N.P., Manevich M., Arsh A., Klebanov M., Lyubin V. // Chalcogenide. Lett. 2005. Vol. 2. N 4. P. 35--37
- Koreshev S.N., Ratushnyi V.P. // Proc. SPIE. 2004. Vol. 5290. P. 221--232
- Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакарь А.М., Тридух Г.М. Патент Республики Молдова 3330(13) B1, MD-BOPI. 2007. N 5. C. 55
- Кольер Р., Беркхард К., Лин Л. Оптическая голография. М.: Мир, 1973. 686 с
- Мотт Н., Дэвич Э. Электронные процессы в некриcталлических веществах. М: Мир, 1982
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук