Вышедшие номера
Исследование методом молекулярной динамики адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности кремния
Харламов В.С., Трушин Ю.В., Журкин Е.Е., Лубов М.Н., Пецольдт Й.1
1Center for Micro- and Nanotechnologies, Technical University Ilmenau,, Ilmenau, Germany
Email: kharlamo@theory.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

В рамках исследования начальных стадий формирования слоя карбида кремния на кремнии при молекулярно-лучевой эпитаксии проведено моделирование отдельных адатомов Si и C и кластеров SiC на поверхности Si методом молекулярной динамики. Рассчитаны и проанализированы поверхности потенциальной энергии для адатомов Si и C на (2x 1)-реконструированной поверхности Si(001) и на нереконструированной поверхности Si(111), а также на поверхности Si(111) с расположенным на ней кластером SiC. Получены значения барьеров миграции для адатомов на рассмотренных поверхностях. Исследовано влияние кластера SiC на деформацию приповерхностной области Si(111) и на миграцию адатомов. На поверхностях потенциальной энергии непосредственно над кластером и у его границ обнаружены глубокие минимумы, в которые могут захватываться диффундирующие адатомы. Исследованы и охарактеризованы распределения напряжений и деформаций в решетке кремния под кластером, находящимся на поверхности. PACS: 68.43.-h, 68.55.Ac, 02.70.Ns, 68.35.Gy