Влияние содержания Ge на высоту барьера Шоттки в структурах на основе твердых растворов Si1-xGex
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.
Исследовано влияние содержания Ge на высоту барьера Шоттки в структурах Au-p-i-n/Al на основе объемных твердых растворов Si1-xGex (0<x<0.26), выращенных методом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки. В исследованных структурах Au-i-Si1-xGex, Au-alphaGe/Si(Li), Au-alphaGe/Si и Au-nSi1-xGex высота энергетического барьера составляла ~1 eV, что превышает значения этого параметра для кремния, приведенные в литературе. Показано, что избыточная концентрация Ge в приповерхностной области Si1-xGex кристалла приводит к самопассивации поверхности, которая приводит к увеличению высоты барьера. Установлено, что в структурах Au-i-Si1-xGex с ростом содержания Ge увеличивается высота барьера Шоттки от 0.97 до 1.03 eV в интервале 0<x<0.11. PACS: 73.20.At, 73.40.Sx, 73.40.Ns
- Бачо И., Калинка Г., Келетий Й, Мазурик Н.Е., Пирожкова Т.И., Пустовойт А.К., Седов Н.Я. // ПТЭ. 1981. N 2. С. 221
- Саидов М.С., Муминов Р.А., Атабаев И.Г., Джураев У.Б., Матчанов Н.А. // Атомная энергия. 1996. Т. 81. Вып. 4. С. 270
- Кожух М.Л., Белокурова И.Н., Вахрушев С.Б., Трунов В.А. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 11. С. 686
- Erko A., Abrosimov N.V., Alex S.V. // Cryst. Res. Technol. 2002. Vol. 37. N 7. P. 685
- Саркисов А.А., Якимов В.А., Каплар Е.П. Термоэлектрические генераторы с ядерными источниками теплоты. М.: Энергоатомиздат, 1987. 205 с
- Nur O., Willander M., Turan R., Sardela M.R., Hansson G.V.Jr. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P. 1084
- Scott G.D., Xiao M., Jiang H.W., Croke E.T., Yablonovitch E. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 032 110
- Rahab H., Keffous A., Menari H., Chergui W., Boussaa N., Siad M. // Nucl. Instrum. Meth. A. 2001. Vol. 459. P. 200
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, 912 с
- Бонштедт-Куплетская Э.М. Определение удельного веса минералов. М.: Изд-во АН СССР, 1951
- Азимов С.А., Муминов Р.А., Шамирзаев С.Х., Яфасов А.Я. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. Ташкент: ФАН. 1981. С. 253
- Забродский А.Г., Евсеев В.А., Коноплева Р.Ф., Чеканов В.А., Саидов М.С., Юсупов А., Атабаев И.Г. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 8. С. 495
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук