Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Газодинамические эффекты при росте кристаллического нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии в вертикальном реакторе

Кондратьев А.В., Базаревский Д.С., Сегаль А.С., Смирнов С.А., Макаров Ю.Н.¹

¹Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия Nitride Crystals Group, St. Petersburg, Russia

Email: ssmirnov@softimpact.ru

Поступила в редакцию: 16 февраля 2007 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено численное моделироваие роста кристаллического нитрида галия методом хлоридно-гидридной парофазной эпитаксии в вертикальном реакторе. Проанализированы эффекты нарушения устойчивости газового потока и связанные с ними изменения характеристик роста кристаллов, происходящие при изменении расходов газовых компонентов и положения кристалла относительно источника галлия. Выявлено существенное влияние свободной концентрационной конвекции на распределение скорости роста кристалла по его поверхности. PACS: 81.10.-h

Жиляев Ю.В., Насонов А.В., Раевский С.Д. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. С. 6-14
Melnik Yu.V., Vassilevski K.V., Nikitina I.P. et al. // MRS Internet J. Nit. Semicond. Res. 1997. P. 39
Vaudo R.P., Xu X., Loria C. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2002. Vol. 194. N 2. P. 494-497
Mathis S.K., Romanov A.E., Chen L.E. et al. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 231. P. 371-390
Egorov Yu.E., Zhmakin A.I. // Comput. Mater. Sci. 1998. Vol. 11. P. 204-220
Cadoret R.J. // J. Cryst. Growth. 1999. Vol. 205. P. 123-135
Segal A.S., Kondratyev A.V., Karpov S.Yu. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. Vol. 270. P. 384-395
http://www.softimpact.ru
Karpov S.Yu., Makarov Yu.N., Ramm M.S. // MRS Internet J. Nitr. Semicond. Res. 1997. Vol. 2. N 45
Seifert W., Fitzl G., Butter E. // J. Cryst. Growth. 1981. Vol. 52. P. 257-262

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель