Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур
Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Чусовитин Е.А., Полярный В.О., Баязитов Р.М., Баталов Р.И.1
1Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН Казань, Россия
Email: galkin@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 27 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850oC) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1·1015-1.8·1017 cm-2) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si(100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi2) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1.7 mum на образцах с дозой имплантации до 1016 cm-2. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности. PACS: 61.72.Tt, 68.37.Ps, 78.20.Ci, 78.40.Fy, 81.15.Hi
- Leong D., Harry M., Reeson K., Homewood K. // Nature. 1997. Vol. 387. P. 686--688
- Schuller B., Carius R., Mantl S. // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 94. P. 207--211
- Штейман Э.А., Вдовин В.И., Изотов А.Н., Пархоменко Ю.Н., Борун А.Ф. // ФТТ. 2004. Т. 46. С. 26--30
- Martinelli L., Grilli E., Guzzi M., Grimaldi M.G. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 794--796
- Maeda Y., Terai Y., Itakura M., Kuwano N. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 461. P. 160--164
- Chu S., Hirohada T., Kan H. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. Vol. 41. P. 299--301
- Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Давыдов В.Ю., Мосина Г.Н. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 1318--1322
- Suemasu T., Takakura K., Li C., Ozawa Y., Kumagai Y., Hasegawa F. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 461. P. 209--218
- Ji S.Y., Lalev G.M., Wang J.F., Lim J.W., Yoo J.H., Shindo D., Isshiki M. // J. Crystal Growth. 2005. Vol. 285. P. 284--294
- Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982. 208 с
- Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Weiser G., Kuehne H. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1320--1325
- Bayazitov R., Batalov R., Nurutdinov R., Shustov V., Gaiduk P., Dezsi I., Kotai E. // Nucl. Instrum. Methods. 2005. Vol. B24. P. 224--228
- Гайдук П.И., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Ивлев Г.Д. // Мат. VI Междунар. науч. технич. конф. "Квантовая электроника". Минск, Беларусь, 2006. С. 144--146
- Соболев В.В., Алексеева С.А., Донецких В.И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношениям Крамерса--Кронига. Кишинев: Штиинца, 1976. 186 с
- Иевлев В.М., Трусов Л.И., Холмянский В.А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. 248 с
- Гаривленко В.И., Грехов А.М., Корбутян Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев: Наук. думка, 1987, 175 с
- Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Чусовитин Е.А., Баязитов Р.М., Баталов Р.И. // Тр. 10-й конф. студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов. Владивосток: ИАПУ ДВО РАН, 2006. С. 146--155
- Chrost J., Hinarejos J.J., Michel E.G., Miranda R. // Surf. Sci. 1995. Vol. 330. P. 34--40
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук