Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур
Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Чусовитин Е.А., Полярный В.О., Баязитов Р.М., Баталов Р.И.1
1Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН Казань, Россия
Email: galkin@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 27 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850oC) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1·1015-1.8·1017 cm-2) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si(100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi2) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1.7 mum на образцах с дозой имплантации до 1016 cm-2. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности. PACS: 61.72.Tt, 68.37.Ps, 78.20.Ci, 78.40.Fy, 81.15.Hi