Вторично-ионная масс-спектрометрия фотопроводящих мишеней
Сердобинцев А.А.1, Роках А.Г.1, Стецюра С.В.1, Жуков А.Г.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: SerdobintsevAA@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.
В результате исследований фотопроводящих пленок CdS-PbS методом вторично-ионной масс-спектрометрии обнаружено изменение выхода положительных вторичных ионов при освещении. При бомбардировке положительными ионами кислорода выход ионов кадмия уменьшался, а ионов свинца - увеличивался при облучении пленок видимым светом. Обнаруженные явления дали основания говорить об обнаружении вторично-ионного фотоэффекта и были названы нормальным и аномальным вторично-ионным фотоэффектом соответственно. Предложены объяснения и предварительное количественное описание наблюдаемых явлений. PACS: 78.66.Hf, 82.80.Ms
- Черепин В.Т. Ионный микрозондовый анализ. Киев: Наук. думка, 1992. 344 с
- Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г., Сердобинцев А.А. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 2. С. 23--29
- Rokakh A.G., Zhukov A.G., Stetsyura S.V., Serdobintsev A.A. // Nucl. Instr. and Meth. B. 2004. Vol. 226. Iss. 4. P. 595--600
- Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г., Сердобинцев А.А. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 1. С. 58--64
- Физика и химия соединений A2B6 / Пер. с англ., под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. 624 с. (Physics and Chemistry of II--VI Compounds / Ed. by M. Aven and J.S. Prener. Amsterdam: North Holland Publishing Company, 1967)
- Олейник Г.С., Мизецкий П.А., Низкова А.И., Поливцев Л.А., Ряднина И.С. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. N 11. С. 1799--1801
- Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AIIBVI: Справочник. Киев: Наук. думка, 1982. 168 с
- Роках А.Г., Стецюра С.В. // Неорганические материалы. 1997. Т. 33. N 2. С. 198--200
- Золотов С.И., Трофимова Н.Б., Юнович А.Э. // ФТП. 1984. Т. 18. N 4. С. 631--634
- Роках А.Г., Трофимова Н.Б., Зорина Л.Д. Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та. 1988. N 13. С. 84
- Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 13. С. 820--823
- Бухаров В.Э., Роках А.Н., Стецюра С.В. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 2. С. 93--98
- Вавилов В.С. // УФН. 1997. 1997. Т. 167. N 4. С. 407--412
- Yu M.L., Lang N.D. // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 50. P. 127--130
- Роках А.Г., Трофимова Н.Б. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 7. С. 122--125
- Niles D.W., Herdt G., Al-Jassim M. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. Iss. 4. P. 1978--1984
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.