Вышедшие номера
Характеристики фотовольтаического рентгеновского детектора на основе эпитаксиальной структуры арсенида галлия
Дворянкин В.Ф.1, Дворянкина Г.Г.1, Дикаев Ю.М.1, Ермаков М.Г.1, Ермакова О.Н.1, Кудряшов А.А.1, Петров А.Г.1, Телегин А.А.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Email: vfd217@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 26 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Исследованы характеристики фотовольтаического рентгеновского детектора на основе эпитаксиальной структуры p+-n-n'-n+ арсенида галлия, выращенной методом газофазной эпитаксии. Приведены типичные вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики эпитаксиальных структур и профиль встроенного электрического поля в обедненной области n-GaAs. С помощью облучения детектора gamma-излучением измерена эффективность сбора заряда в фотовольтаическом детекторе без смещения и при напряжении смещения 17 V. Показано, что фотовольтаический рентгеновский детектор на основе GaAs может работать без смещения при комнатной температуре. Измерена чувствительность детектора в зависимости от эффективной энергии рентгеновского излучения и угла падения рентгеновских фотонов. PACS: 07.85.Fv, 81.05.-t