Характеристики фотовольтаического рентгеновского детектора на основе эпитаксиальной структуры арсенида галлия
Дворянкин В.Ф.1, Дворянкина Г.Г.1, Дикаев Ю.М.1, Ермаков М.Г.1, Ермакова О.Н.1, Кудряшов А.А.1, Петров А.Г.1, Телегин А.А.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Email: vfd217@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 26 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
Исследованы характеристики фотовольтаического рентгеновского детектора на основе эпитаксиальной структуры p+-n-n'-n+ арсенида галлия, выращенной методом газофазной эпитаксии. Приведены типичные вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики эпитаксиальных структур и профиль встроенного электрического поля в обедненной области n-GaAs. С помощью облучения детектора gamma-излучением измерена эффективность сбора заряда в фотовольтаическом детекторе без смещения и при напряжении смещения 17 V. Показано, что фотовольтаический рентгеновский детектор на основе GaAs может работать без смещения при комнатной температуре. Измерена чувствительность детектора в зависимости от эффективной энергии рентгеновского излучения и угла падения рентгеновских фотонов. PACS: 07.85.Fv, 81.05.-t
- McGregor D.S., Hermon H. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A. 1998. Vol. 410. P. 101--124
- Batter C.M. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A. Vol. 395. P. 1--9
- Ахмадуллин Р.А., Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 1. С. 34--38
- Ландау Л.Д. Сборник трудов / Под ред. Е.М. Лифшица. М.: Наука, 1969. Т. 1. 512 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук