"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Об особенностях модификации дефектной структуры в бинарных полупроводниках под действием микроволнового облучения
Ермолович И.Б.1, Миленин Г.В.1, Миленин В.В.1, Конакова Р.В.1, Редько Р.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: re_rom@ukr.net
Поступила в редакцию: 23 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Проведен анализ некоторых возможных атермических процессов, вызванных СВЧ-обработкой (f=2.45 и 84 GHz), в полупроводниковых материалах, влияющих на их структурное состояние. Предложены модели изменения концентрации как точечных, так и протяженных дефектов при микроволновом облучении, которые качественно подтверждаются экспериментальными данными по исследованию структуры и люминесценции полупроводниковых материалов. PACS: 81.05.-t
  1. Беляев А.Е., Беляев А.А., Венгер Е.Ф. и др. // Мат. 6-й Междунар. Крымской микроволновой конф. "Крымико-96", Севастополь, Крым, Украина, 1996. С. 71--89
  2. Бреза Ю., Миленин В.В., Конакова Р.В. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997. Т. 10. С. 83--85
  3. Абдурахимов Д.Е., Вахидов Ф.Ш., Верещагин В.Л. и др. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20. Вып. 1. С. 22--25
  4. Абдурахимов Д.Е., Бочикашвили П.Н., Верещагин В.Л. и др. // Микроэлектроника. 1992. Т. 21. Вып. 1. С. 82--89
  5. Пашков В.И., Перевощиков В.А., Скупов В.Д. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 20. Вып. 8. С. 14--17
  6. Полухин П.И., Горелик Г.С., Воронцов В.К. Физические основые пластической деформации. М.: Металлургия, 1982. 584 с
  7. Фридель Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. 644 с
  8. Родерс Р.П. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М.: Металлургия, 1968. 371 с
  9. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фиттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 240 с
  10. Смирнов В.И. Курс высшей математики. Т. II. М.: Наука, 1974. 656 с
  11. Вдовенков В.А., Прокофьева С.П. // ЖТФ. 1991. Т. 61. Вып. 9. С. 67--72
  12. Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.Т., Воробьев А.Н., Тареев Б.М. Теория диэлектриков. М.: Энергия, 1965. 365 с
  13. Konakova R.V., Milenin V.V., Voitsikhovskyi D.I., Kamalov A.B., Kolyadina E.Yu., Lytvyn P.M., Lytvyn O.S., Matveeva L.A., Prokopenko I.V. // Semiconductor Physics. Quantum Electronics. Optoelectronics, 2001. Vol. 4. N 4. P. 298--300
  14. Быков Ю.В. Геттерирование примесей и дефектов в кремнии при обработке в СВЧ-поле. М., 1991. 14 с. Деп. в ВИНИТИ 20.05.91 N 2332-B91

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.