Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об особенностях модификации дефектной структуры в бинарных полупроводниках под действием микроволнового облучения
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Email: re_rom@ukr.net
Поступила в редакцию: 23 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
Проведен анализ некоторых возможных атермических процессов, вызванных СВЧ-обработкой (f=2.45 и 84 GHz), в полупроводниковых материалах, влияющих на их структурное состояние. Предложены модели изменения концентрации как точечных, так и протяженных дефектов при микроволновом облучении, которые качественно подтверждаются экспериментальными данными по исследованию структуры и люминесценции полупроводниковых материалов. PACS: 81.05.-t
- Беляев А.Е., Беляев А.А., Венгер Е.Ф. и др. // Мат. 6-й Междунар. Крымской микроволновой конф. "Крымико-96", Севастополь, Крым, Украина, 1996. С. 71--89
- Бреза Ю., Миленин В.В., Конакова Р.В. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997. Т. 10. С. 83--85
- Абдурахимов Д.Е., Вахидов Ф.Ш., Верещагин В.Л. и др. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20. Вып. 1. С. 22--25
- Абдурахимов Д.Е., Бочикашвили П.Н., Верещагин В.Л. и др. // Микроэлектроника. 1992. Т. 21. Вып. 1. С. 82--89
- Пашков В.И., Перевощиков В.А., Скупов В.Д. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 20. Вып. 8. С. 14--17
- Полухин П.И., Горелик Г.С., Воронцов В.К. Физические основые пластической деформации. М.: Металлургия, 1982. 584 с
- Фридель Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967. 644 с
- Родерс Р.П. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М.: Металлургия, 1968. 371 с
- Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фиттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 240 с
- Смирнов В.И. Курс высшей математики. Т. II. М.: Наука, 1974. 656 с
- Вдовенков В.А., Прокофьева С.П. // ЖТФ. 1991. Т. 61. Вып. 9. С. 67--72
- Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.Т., Воробьев А.Н., Тареев Б.М. Теория диэлектриков. М.: Энергия, 1965. 365 с
- Konakova R.V., Milenin V.V., Voitsikhovskyi D.I., Kamalov A.B., Kolyadina E.Yu., Lytvyn P.M., Lytvyn O.S., Matveeva L.A., Prokopenko I.V. // Semiconductor Physics. Quantum Electronics. Optoelectronics, 2001. Vol. 4. N 4. P. 298--300
- Быков Ю.В. Геттерирование примесей и дефектов в кремнии при обработке в СВЧ-поле. М., 1991. 14 с. Деп. в ВИНИТИ 20.05.91 N 2332-B91
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
