Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О влиянии свойств подложки на электронную структуру интерфейсов органических пленок на неорганических подложках
Комолов С.А.1, Аляев Ю.Г.1
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия 
Email: sak@paloma.spbu.ru
Поступила в редакцию: 2 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
Проанализированы результаты выполненных с помощью спектроскопии полного тока исследований структуры электронных состояний интерфейсов пленок PTCDA на подложках из ZnO, Cu, GaAs и InAs. Обнаружено, что различные физико-химические свойства положки оказывают сильное влияние на взаимное расположение электронных состояний подложки и покрытия. Построенные на основании экспериментальных результатов потенциальные диаграммы исследуемых интерфейсов иллюстрируют такие аспекты интерфейсной электронной структуры, как формировние резких и протяженных дипольных слоев, изменение зарядового состояния поверхностных уровней и модификацию электронной структуры покрытия. PACS: 73.20.-r, 73.30.+y, 82.80.Pv
- Поуп М., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах. М.: Мир, 1985. Т. 1. Ч. 2. Гл. 2.5. 331 с
- Ishii H., Sugiyama K., Ito E. et al. // Adv. Mater. 1999. Vol. 11. N 8. P. 605--625
- Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973. Гл. 2. 69 с
- Lamoen D., Ballone P., Parinello M. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. N 7. P. 5097--5105
- Hirose Y., Wu C.I., Aristov V. et al. // Appl. Surf. Sci. 1997. Vol. 113/114. P. 291--298
- Sato N., Yoshikawa M. // J. El. Spec. Rel. Phyn. 1996. Vol. 78. P. 387--390
- Gador D., Buchberger C., Fink R. et al. // J. El. Spectr. Rel. Phen. 1998. Vol. 96. P. 11--17
- Hill I.G., Schwartz J., Kahn A. // Org. El. 2000. Vol. 1. P. 5--13
- Evans D.A., Steiner H.J., Vearey-Roberts A.R. et al. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 212--213. P. 417--422
- Zahn D.R.T., Park S., Kampen T.U. // Vacuum. 2002. Vol. 67. P. 101--113
- Palma A., Pasquarello A., Car R. // Phys. Rev. B 2002. Vol. 65. P. 155 314-1--155 314-7
- Komolov S.A., Gerasimova N.B., Sidorenko A.G. et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. Vol. 7/8. P. 93--99
- Komolov S.A., Gerasimova N.B., Aliaev Y.G. et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 2002. Vol. 1/2. P. 253--260
- Комолов С.А., Аляев Ю.Г., Потюпкин Н.В. и др. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 2. С. 73--78
- Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Физика электронных материалов. Калуга: Изд-во КГПУ, 2005. Т. 2. С. 220
- Комолов С.А. Интегральная вторично-электронная спектроскопия поверхности. Л.: Изд-во ЛГУ, 1986. 180 с
- Комолов С.А., Герасимова Н.Б., Сидоренко А.Г. и др. // ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 24. С. 80--88
- Komolov S.A., Gerasimova N.B., Sidorenko A.G. et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. Vol. 1/2. P. 119--125
- Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Phys. Low-Dim. Struct. 2002. Vol. 9/10. P. 55--63
- Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Colloids and Surf. A. 2004. Vol. 239. P. 55--58
- Jacobi K., Zwicker G., Gutmann A. // Surf. Sci. 1984. Vol. 141. P. 109--125
- Wu C.I., Hirose Y., Sirringhaus H. et al. // Chem. Phys. Lett. 1997. Vol. 271. P. 43--47
- Hirose Y., Chen W., Haskal E.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 25. P. 3482--3484
- Komolov S.A., Gerasimova N.B., Morozov A.O. // Phys. Low-Dim. Struct. 1994. Vol. 9. P. 29--34
- Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. Гл. 2. 35 с
- Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наук. думка, 1981. 55 с
- Nakamura T., Iwasawa K., Kera S. et al. // Surf. Sci. 2003. Vol. 212--213. P. 515
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
