Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2007, выпуск 5 » Статья стр. 102
<<<>>>
Расширение области температур эпитаксиального роста пленок YSZ на Si [100] при магнетронном напылении
Бешенков В.Г.1, Знаменский А.Г.1, Марченко В.А.1, Пустовит А.Н.1, Черных А.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: marchenk@ipmt-hpm.ac.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
PDF версия
Экспериментально показано, что область температур эпитаксиального роста пленок YSZ на кремнии с естественным оксидом, узкая (~20oC) при обычных условиях магнетронного напыления, расширяется до 150oC при облучении поверхности пленок ионами прилегающей к подложке плазмы за счет снижения нижней границы. Необходимая для этого энергия ионов - E>=80 eV. Протекание тока в цепи плазма-пленка-подложка сопровождается транспортом ионов кислорода в YSZ и приводит к возникновению в пленке специфических дефектов. Ионное облучение с нулевым средним по времени током сквозь пленку, реализуемое при ВЧ-смещении изолированной подложки, позволяет выращивать бездефектные атомарно-гладкие эпитаксиальные пленки в широком интервале температур и энергий ионов. PACS: 81.15.-z
  1. Barda A., Matthee Th., Wecker J., and Samwer K.J. // Appl. Phys. 1994. Vol. 75(6). P. 2902--2910
  2. Mechin L., Villegier J.-C., Rolland G., Laugier F. // Physica C: Superconductivity and its Applications. 1996. Vol. 269. N 1--2. P. 124--130
  3. Ходан А.Н. Импульсное лазерное осаждение оксидов и эпитаксиальные оксидные пленки. Автореф. дисс. д. ф. м. М., 2005
  4. Sasaki K., Hasu T., Sasaki K., Hata T. // Vacuum. 2002. Vol. 66. P. 403--408
  5. Koch T., Ziemann P. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 303. P. 122--127
  6. Бешенков В.Г., Знаменский А.Г., Марченко В.А. // Поверхность. 1998. N 1. С. 59--63
  7. Koch T., Ziemann P. // Appl. Surf. Sci. 1996. Vol. 99. P. 51
  8. Lei C.H., Van Tendeloo G., Siegert M., Schubert J., Buchal Ch. // J. of Crystal Growth. 2001. Vol. 222. P. 558--564.
  9. Ermolov S.N., Marchenko V.A., Rosenflantz V.Zh., and Znamenskii A.G. // Thin Solid Films. 1991. Vol. 204. P. 229--237.
  10. Marchenko V.A., Znamenskii A.G., Helmersson U. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 4. P. 1882--1889
  11. Бешенков В.Г., Знаменский А.Г., Марченко В.А. // Поверхность. 2004. N 3. С. 74--77
  12. Kubo K., Kiyohara M., Shimoyama K., Yamabe K. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 216. P. 307-- 311
  13. Райзер Ю.П., Шнейдер М.Н., Яценко Н.А. Высокочастотный емкостной разряд. М.: Наука, 1995. Гл. 3. С. 145
  14. Beshenkov V.G., Marchenko V.A., Znamenskii A.G. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 65(2). P. 156--158
  15. Жукова Л.А., Гуревич М.А. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1971. Гл. VII
  16. Ziegler J.F., Biersack J.P., and Littmark V. The Stopping and Range of Ions in Solids. New York: Pergamon Press, 1985

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme