Ферромагнитный резонанс в эпитаксиальных пленках (Bi,Tm)3(Fe,Ga)5O12 с ориентацией (210)
Рандошкин В.В.1, Козлов В.И.1, Кокшаров Ю.А.1, Салецкий А.М.1, Сысоев Н.Н.1, Усманов Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: sam@rector.msu.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
Исследован ферромагнитный резонанс (ФМР) в эпитаксиальных пленках (Bi,Tm)3(Fe,Ga)5O12, выращенных на подложках Gd3Ga5O12 с ориентацией (210). Спектр ФМР содержит один пик. Азимутальная и полярная зависимости резонансного поля обладают 180o-ной симметрией. Изучены угловые зависимости ширины и интенсивности линии ФМР. PACS: 76.50.+g
- Takeushi H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1975. Vol. 14. P. 1903
- Рандошкин В.В., Козлов В.И., Мочар В.Ю. и др. // Физическая мысль России. 1999. N 1/2. C. 28
- Логинов Н.А., Логунов М.В., Рандошкин В.В. // ФТТ. 1989. Т. 31. N 10. C. 58
- Рандошкин В.В., Гусев М.Ю., Козлов Ю.Ф., Неустроев Н.С. // Контроль и диагностика. 2000. N 3. C. 26
- Рандошкин В.В., Гусев М.Ю., Козлов Ю.Ф., Неустроев Н.С. // Дефектроскопия. 2000. N 6. C. 46
- Рандошкин В.В., Гусев М.Ю., Козлов Ю.Ф., Неустроев Н.С. // Заводская лаборатория (Диагностика материалов). 2000. Т. 66. N 9. C. 33
- Рандошкин В.В., Гусев М.Ю., Козлов Ю.Ф., Неустроев Н.С. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 8. С. 118
- Randoshkin V.V., Vasil'eva N.V., Gusev M.Yu. et al. // Proc. of 5th Int. Conf. Obninsk, 2003. N 2. C. 430
- Gangulee K., Kobliska R.J. // J. Appl. Phys. 1980. Vol. 51. N 6. P. 3333
- Рандошкин В.В., Старостин Ю.В. // Радиоэлектроника за рубежом. 1982. N 18. C. 1
- Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах. Справочник / Под ред. Н.Н. Евтихиева, Б.Н. Наумова. М.: Радио и связь, 1987. 488 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.