Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2007, выпуск 4 » Статья стр. 50
<<<>>>
Влияние температуры роста спейсерного слоя на электрофизические и структурные свойства PHEMT-структур
Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А., Имамов Р.М., Субботин И.А., Пашаев Э.М.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
PDF версия
Изучено влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газа mue в псевдоморфных структурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с односторонним слоем, delta-легированным кремнием. Для исследования выбраны структуры, оптимизированные с точки зрения отсутствия параллельной проводимости по легированному слою. Установлено, что в таких структурах с увеличением температуры роста спейсерного слоя от 590 до 610oC при неизменности остальных параметров и условий роста подвижность mue увеличивается на 53% при T=300 K и на 69 при 77. С помощью фотолюминесцентных и рентгенодифракционных измерений показано, что это связано с усовершенствованием кристаллической структуры спейсерного слоя AlGaAs и уменьшением степени размытия гетерограницы AlGaAs/InGaAs. PACS: 81.15.Hi, 72.80.Ey, 73.61.Ey, 61.10.Nz
  1. Chou Y., Li G.P., Chen Y.C. et al. // IEEE Electr. Dev. Let. 1996. Vol. 17. P. 479
  2. Habbad Y., Deveaud D., Buhlmain H.-J., Ilegems M. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 2509
  3. Wu C.S., Ren F., Pearton S.J. et al. // IEEE Trans. Electr. Dev. 1995. Vol. 42. P. 1419
  4. Gaquiere C., Grunerutt J., Jambon D. et al. // IEEE Trans. Electr. Dev. 2005. Vol. 26. P. 533
  5. Yang M.T., Chan Y.J., Chen C.H. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 2494
  6. Yu P.W., Jogai B., Rogers T.J. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 7535
  7. Cao X., Zeng Y., Kong M. et al. // Solid State Electronics. Vol. 45. P. 751
  8. Cao X., Zheng Y., Kong M. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 231. P. 520
  9. Cao X., Zheng Y., Cui L. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 227--228. P. 127
  10. Look D.C., Jogai B., Stutz C.E. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 328
  11. Chan K.T., Lightner M.J., Patterson G.A., Yu K.M. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. P. 2022
  12. Toyoshima H., Niwa T., Yamazaki J., Okamoto A. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. P. 3908
  13. Chao K.J., Liu N., Shin C.K. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 1703
  14. Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г. // МЭ. 2006. Т. 35 (2). С. 67
  15. Leuthery A., Forstery A., Lethy H. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 11. P. 766
  16. Deng X., Liu W., Lin M.E., Zhang J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. Vol. 19. P. 1558
  17. Афанасьев А.М., Имамов Р.М. // Кристаллография. 2003. Т. 48 (5). С. 786
  18. Chen T.N., Huang Y.S., Shou T.S. et al. // Physica E. B. 2000. P. 297
  19. Unuma T., Takahashi T., Noda T. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 75. P. 1703

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme