Вышедшие номера
Формирование органических пленок на поверхности арсенида индия
Комолов С.А.1, Аляев Ю.Г.1, Бузин И.С.1
1Санкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербург, Россия
Email: mutabor@altlinux.org
Поступила в редакцию: 17 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Исследован процесс формирования интерфейсов между органическими полупроводниковыми материалами PTCDA и NTCDA и поверхностью монокристалла InAs (001). Благодаря применению методов спектроскопии полного тока и оже-электронной спектроскопии было установлено наличие диффузии атомов индия с поверхности подложки в объем пленки. Наличие атомов индия в пленке вызывает определенные изменения в структуре ее pi-электронных состояний и приводит к уменьшению энергии незаполненных молекулярных электронных орбиталей. PACS: 68.35.Fx, 73.20.-r, 73.30.+y, 82.80.Pv