Влияние ионизирующих излучений на магниточувствительные свойства планарных симисторов
Косихин А.В.1, Бакланов С.Б.1, Новиков С.Г.1, Гурин Н.Т.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: kosihinav@ulsu.ru
Поступила в редакцию: 15 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
Рассматриваются изменения магниточувствительных свойств многослойных полупроводниковых приборов, таких как планарно-диффузионные симисторы (ПДС), обусловленные дефектами смещения и ионизации посредством радиационного облучения структур. Выявлено, что в результате облучения возможно существенное повышение магниточувствительности ПДС. Исследованы процессы и механизмы, влияющие на повышение магниточувствительности в условиях действия ряда гальваномагнитных эффектов. PACS: 75.50.Pp, 81.40.Wx
- Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983. 104 с
- Бакланов С.Б., Новиков С.Г., Гурин Н.Т. и др. // LIV Научная сессия, посвященная дню радио. Тез. докл. М.: Изд-во РНТОРЭС им. А.С. Попова, 1999. С. 87
- Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
