Исследованы угловые зависимости анизотропного магнетосопротивления (АМС) в электропроводящих ферромагнитных пленках наноразмерной толщины и слоистых структурах, содержащих такие пленки и имеющих форму узких прямоугольных полосок, применяемую при изготовлении спин-туннельных магнитных переходов, обладающих гигантским магнетосопротивлением. Экспериментально показана возможность определения с помощью угловых измерений АМС основных магнитных параметров, важных при создании магнитных переходов. Определены ось магнитной анизотропии, величина магнитного поля насыщения и коэрцитивная сила в пленках пермаллоя (Py) толщиной 25 nm, в структурах пленка FeMn (15 nm)-пленка Py (10 nm), выращенных магнетронным методом на подложке из окисленного кремния и в структуре FeMn (15 nm)-Py (10 nm)-SiC (1.5 nm)-Py (10 nm), выращенной на ситалловой подложке. Обнаружено, что при одинаковых условиях нанесения слоев Py в структурах пленка FeMn-пленка Py ось магнитной анизотропии Py оказывается повернутой на 90^o по отношению к оси анизотропии Py в структурах, не имеющих слоя FeMn. В структуре FeMn (15 nm)-Py (10 nm)-SiC (1.5 nm)-Py (10 nm) с использованием АМС измерена величина обменного смещения поля перемагничивания, которая хорошо согласуется с результатом измерения, выполненного индукционным методом. PACS: 75.75.+a

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.