Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2006, выпуск 11 » Статья стр. 6
<<<>>>
Влияние интерфейсного s-d-рассеяния на транспорт в структурах ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик
Игнатенко С.А.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: s2ign@tut.by
Поступила в редакцию: 13 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
PDF версия
Разработана двухзонная s-d-модель на основе метода функций Грина для расчета проводимости и туннельного магнитосопротивления структур ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик. На примере Fe/Al2O3/Fe показано, что s-d-рассеяние на границе раздела между ферромагнетиком и диэлектриком приводит к увеличению туннельного магнитосопротивления. Степень спиновой поляризации тока при этом уменьшается и даже становится отрицательной, что в основном связано с рассеянием сильно локализованных d-электронов в s-зону и последующим туннелированием сквозь диэлектрик. PACS: 71.10.Fd, 72.10.-d, 72.10.Fk, 72.25.Ba, 72.25.Mk, 73.40.Rw
  1. Parkin S.S.P., Roche K.P., Samant M.G. et al. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 8. P. 5828--5833
  2. McLaren J.M., Zhang X.-G., Butler W.H. et al. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. N 8. P. 5470--5478
  3. Butler W.H., Zhang X.-G., Schulthess T.C. et al. // Phys. Rev. B. Vol. 63. P. 054 416-1--054 416-12
  4. Moruzzi V.L., Janak J.F., Williams A.R. Calculated Electronic Properties of Metals. Pergamon, 1978. 196 p
  5. Moodera J.S., Kim T.H., Tanaka C. et al. // Phil. Mag. B. 2000. Vol. 80. N 2. P. 195--206
  6. Mitsuzuka T., Matsuda K., Kamijo A. et al. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 8. P. 5807--5809
  7. Zhang X., Li B.-Z., Sun G. et al. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 56. N 9. P. 5484--5488. Mointagne F., Hehn M., Schuhl A. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 14. P. 144 402-1--144 402-4
  8. Игнатенко С.А., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. // ЖТФ. 2005. Т. 85. Вып. 6. С. 8--12
  9. Bagrets D., Bagrets A., Vedyaev A. at al. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 064 430-1--064 430-19
  10. Tsymbal E.Yu., Pettifor D.G. // J. Phys. Condens. Matter. 1997. Vol. 9. P. L411--L417
  11. Datta S. Electronic Transport in Mesoscopic Systems. Cambridge, 1995. 377 p
  12. Anderson P.W. // Phys. Rev. 1958. Vol. 109. P. 1492--1505
  13. Davies J.H. The physics of low-dimensional semiconductors: an introduction. Cambridge, 1998. 438 p
  14. Игнатенко С.А., Борисенко В.Е. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 9. С. 1083--1087
  15. Stearns M.B. // J. Magn. Magn. Mater. 1977. Vol. 5. N 2. P. 167--171
  16. Moodera J.S., Gallagher E.F., Robinson K. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. N 22. P. 3050--3052
  17. Monsma D.J., Parkin S.S.P. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. N 5. P. 720--722
  18. De Teresa J.M., Barthelemy A., Fert A. et al. // Science. 1999. Vol. 286. P. 507--509
  19. LeClair P., Hoex B., Wieldraaijer H. et al. // Phys. Rev. B. Vol. 64. P. 100 406-1--100 406-4
  20. LeClair P., Kohlhepp J.T., Swagten H.J.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 86. N 6. P. 1066--1069
  21. Gebele O., Bohm M., Krey U. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2000. Vol. 214. P. 309--326

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme