Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Детекторы рентгеновского излучения на эпитаксиальном арсениде галлия

Айзенштат Г.И., Вилисова М.Д., Другова Е.П., Лелеков М.А., Мокеев Д.Ю., Пономарев И.В., Пороховниченко Л.П., Толбанов О.П., Чубирко В.А.¹

¹Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

Email: ayzen@tomsknet.ru

Поступила в редакцию: 18 июля 2005 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиального арсенида галлия двух типов - "чистого" и компенсированного хромом. Из анализа амплитудных спектров от разных радиоактивных источников установлено, что эффективность сбора заряда в таких детекторах не выше 60%. Причем если для детекторов из "чистого" эпитаксиального GaAs с концентрацией свободных электронов порядка 10¹² cm^-3 неполный сбор заряда связан с наличием неравномерного распределения электрического поля в приборе, вызванного объемным зарядом глубоких центров, то в структурах на основе компенсированного хромом эпитаксиального материала с удельным сопротивлением rho~ 10⁸ Omega·cm неполный сбор заряда обусловлен сильным захватом дырок. Показано, что в эпитаксиальных структурах арсенида галлия, компенсированных хромом, время жизни неравновесных электронов сравнительно велико и может достигать 40 ns. PACS: 42.72.-g, 85.25.Oj

Ayzenshtat G.I., Kanaev V.G., Khan A.V. et al. // Nucl. Instr. and Meth. 2001. Vol. A466. P. 162--167
Ayzenshtat G.I., Babichev E.A., Baru S.E. et al. // Nucl. Instr. and Meth. 2003. Vol. A509. P. 268--273
Ахмадулин Р.А., Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 1. С. 34--37
Rogalla M., Geppert R., Goppert R. et al. // Nucl. Instr. and Meth. 1998. Vol. A410. P. 74--78
Milnes A.G. Deep impurities in semiconductors. New York: J. Wiley \& Sons, 1973. P. 540
Ayzenshtat G.I., Budnitsky D.L., Koretskaya O.B. et al. // Nucl. Instr. and Meth. 2002. Vol. A487. P. 96--101
Ramo S. // Proc. IRE. 1939. Vol. 27. P. 584
Shockley W. // J. Appl. Phys. 1938. Vol. 9. P. 635
Trammel R., Walter J.F. // Nucl. Instr. and Meth. 1969. Vol. 76. P. 317

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель