Вышедшие номера
Детекторы рентгеновского излучения на эпитаксиальном арсениде галлия
Айзенштат Г.И., Вилисова М.Д., Другова Е.П., Лелеков М.А., Мокеев Д.Ю., Пономарев И.В., Пороховниченко Л.П., Толбанов О.П., Чубирко В.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Email: ayzen@tomsknet.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2006 г.

Проведены исследования фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиального арсенида галлия двух типов - "чистого" и компенсированного хромом. Из анализа амплитудных спектров от разных радиоактивных источников установлено, что эффективность сбора заряда в таких детекторах не выше 60%. Причем если для детекторов из "чистого" эпитаксиального GaAs с концентрацией свободных электронов порядка 1012 cm-3 неполный сбор заряда связан с наличием неравномерного распределения электрического поля в приборе, вызванного объемным зарядом глубоких центров, то в структурах на основе компенсированного хромом эпитаксиального материала с удельным сопротивлением rho~ 108 Omega·cm неполный сбор заряда обусловлен сильным захватом дырок. Показано, что в эпитаксиальных структурах арсенида галлия, компенсированных хромом, время жизни неравновесных электронов сравнительно велико и может достигать 40 ns. PACS: 42.72.-g, 85.25.Oj