Вышедшие номера
Фотоэлектронные свойства органических пленок на поверхности кремния
Комолов С.А.1, Герасимовa Н.Б.1, Аляев Ю.Г.1, Лазнева Э.Ф.1, Комолов А.С.1, Логинов Б.А.1, Потюпкин Н.В.1
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: sak@paloma.spbu.ru
Поступила в редакцию: 3 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Исследованы фотоэлектронные свойства сэндвичных структур, содержащих гетеропереходы органический полупроводник-кремний: PTCDA-Si; CuPc-Si; OPV-Si. Измерены вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фотопроводимости и фотопотенциала. Фоточувствительность обнаружена как в области поглощения кремния, так и органических пленок. Наибольшая величина фотопотенциала (до 0.25 V) зарегистрирована на гетеропереходе PTCDA-Si. На гетеропереходе OPV-Si обнаружен эффект изменения знака фотопотенциала при облучении в разных частях оптического диапазона. PACS: 78.68.+m, 79.60.-i