Вышедшие номера
Фазовые переходы в атомной, электронной и магнитной подсистемах пленок LaSrMnO с изменением температуры роста
Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Пафомов Н.Н., Szymczak R., Baran M., Lewandowski S.J.1
1Instytut Fizyki PAN, 02-668 Warszawa, Poland
Email: okunev@mail.fti.ac.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 17 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Рассмотрена эволюция кластеризованной структуры в аморфных пленках LaSrMnO с повышением температуры роста от 20 до 300oC. Показано, что при этом имеют место два фазовых перехода типа порядок-беспорядок, различающиеся масштабным параметром. Один из них --- формирование мелких (~20 Angstrem) аморфных кластеров из неупорядоченно расположенных атомов при Ts=100oC, что проявляется в экстремальном увеличении интенсивности диффузного рассеяния рентгеновских лучей в виде гало 1 при уменьшении до минимальной интенсивности некогерентного рассеяния (фона). Повышение температуры до Ts=150oC приводит к доминированию процессов разупорядочения (Iincoh=Imax), предшествующих второму фазовому переходу (Ts=250-300oC) --- новому этапу упорядочения структуры, при котором из крупных (>100 Angstrem) кристаллических кластеров формируется кристаллическая фаза (переход аморфное состояние-кристалл) с появлением дебаевских линий при одновременном ослаблении интенсивности гало. Показано, что структурный фазовый переход, приводящий к формированию дальнего порядка, сопровождается уменьшением удельного сопротивления образцов LaSrMnO от 1010 до 101 Omega·cm с изменением механизма проводимости от свойственного гранулированным системам туннельного механизма с участием металлических кластеров до прыжкового с переменной длиной прыжка, соответствующего закону Мотта: rho~exp(T-1/4). В магнитной подсистеме происходит переход от парамагнитного состояния к ферромагнитному. PACS: 68.48.Jk
  1. Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Svistunov V.M., Abal'oshev A., Dynowsla E., Gierlowski P., Klimov A., Lewandowski S.J. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 10. P. 7282--7290
  2. Самойленко З.А., Окунев В.Д., Дьяченко Т.А., Пушенко Е.И., Lewandowski S.J., Gierlowski P., Klimov A., Abal'oshev A.A. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 4. С. 58--65
  3. Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Дьяченко Т.А., Черенков О.П., Szymczak R., Szymczak H., Lewandowski S.J., Baran M., Gierlowski P. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 5. С. 50--55
  4. Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Abal'oshev A., Baran M., Berkowski M., Gierlowski P., Lewandowski S.J., Szewczyk A., Szymczak H., Szymczak R. // Phys. Lett. A. 2004. Vol. 325. P. 79--85
  5. Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Pafomov N.N., Plehov A.L., Szymczak R., Baran M., Szymczak H., Lewandowski S.J., Gierlowski P., Abal'oshev A. // Phys. Lett. A. 2004. Vol. 332. P. 275--285
  6. Samoilenko Z.A., Okunev V.D., Pushenko E.I., Abal'oshev A., Baran M., Gierlowski P., Lewandowski S.J., Szymczak R. // Acta Physica Polonica A. 2004. Vol. 105. N 1--2. P. 93--98
  7. Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Самойленко З.А., Свистунов В.М. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 5. С. 39--42
  8. Китайгородский А.И. Порядок и беспорядок в мире атомов. М.: Наука, 1966. 167 с
  9. Китайгородский Л.И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел. М.: Наука, 1952. 588 с
  10. Кривоглаз М.А. // Электронная структура и свойства металлов и сплавов: Сб. науч. тр. Киев: Наук. думка, 1988. С. 3--39
  11. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
  12. Ханикаев А.Б., Грановский А.Б., Клерк Ж.-П. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 9. С. 1537--1539
  13. Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Дьяченко Т.А., Черенков А., Gierlowski P., Lewandowski S.J., Abal'oshev A., Klimov A., Szewczyk A. // ЖТФ. 2003. Т. 73. С. 118--124
  14. Окунев В.Д., Самойленко З.А., Дьяченко Т.А., Szymczak R., Baran M., Gierlowski P. // ФТТ. 2004. Т. 46. N 10. С. 1831--1840
  15. Окунев В.Д., Самойленко З.А., Исаев В.А., Klimov A., Lewandowski S.J. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 2. С. 12--20
  16. Белов К.П., Бочкарев Н.Г. // Магнетизм на Земле и в Космосе. М.: Наука, 1983. 192 с
  17. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1. 368 с
  18. Демин Р.В., Королева Л.И., Шимчак Р., Шимчак Г. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 75. Вып. 7. С. 402--406

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.