Вышедшие номера
Роль олигомеров в процессе роста пленки аморфного кремния в PECVD-реакторе
Горбачев Ю.Е.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: gorbachev@csa.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Построена расширенная плазмохимическая модель процессов в PECVD-реакторе, являющаяся развитием предложенной в работах [1,2] и учитывающая образование олигомеров SinHm (до n=<q 5). Разработана соответствующая схема химических реакций, и проведено моделирование процесса роста пленки. Обнаружен эффект сильного влияния компонентов Si2H5 и Si3H7 на рост пленки. Интерес представляет получение более надежных экспериментальных данных, связанных с выявлением этих эффектов. PACS: 81.20.-n, 81.05.Gs
  1. Горбачев Ю.Е., Затевахин М.А., Каганович И.Д. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 12. С. 89--111
  2. Горбачев Ю.Е., Затевахин М.А., Кржижановская В.В., Швейгерт В.А. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 8. С. 77--86
  3. Kushner M.J. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 63. N 8. P. 2532--2551
  4. Perrin J., Leroy O., Bordage M.C. // Contrib. Plasma Phys. 1996. Vol. 36. N 1. P. 3--49
  5. Roca i Cabarrocas P. // J. Non-Cryst. Solids. 1993. Vol. 37. P. 64--166
  6. Roca i Cabarrocas P. // Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology. MRS Symp. Proc. 507. 1998. P. 855
  7. Fontcuberta i Morral A., Brenot R., Hamers E.A.G., Vanderhagen R. and Roca Cabarrocas P. // J. Non-Cryst. Solids. 2001. Vol. 266. P. 48
  8. Krzhizhanovskaya V.V., Zatevakhin M.A., Ignatiev A.A., Gorbachev Yu.E., Sloot P.M.A. // Lecture Notes in Computer Science 2002. Vol. 2328. P. 879--888
  9. Krzhizhanovskaya V.V., Zatevakhin M.A., Ignatiev A.A., Gorbachev Yu.E., Goedheer W.J., Sloot P.M.A. // 3D Simulation of PECVD Reactors for Silicon-Based Film Production. ASME PVP Division Conference. 2004. Vol. 491--2. P. 59--68
  10. http://www.csa.ru/comphyga/REAF.htmr
  11. Bhandarkar U.V., Swihart M.T., Girshich S.L., Kortshagen U.R. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. Vol. 33. P. 2731--2746
  12. Bhandarkar U.V., Kortshagen U.R., Girshich S.L. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. Vol. 3. P. 1399--1408
  13. Shirafuji T., Tachibana K., Matsui Y. // Japan. J. Appl. Phys. 1995. Vol. 34. N 8A. P. 4239--4246
  14. Guizot J.-L., Nomoto K., Matsuda A. // Surf. Sci. 1991. Vol. 244. P. 22--38
  15. Sato N., Hsiratani M., Watanabe Yu. // Japan. J. Appl. Phys. 1994. Vol. 33. N 7B. P. 4266--4270
  16. Perrin J. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1993. Vol. 26. P. 1662--1679
  17. Biebericher A.C.W., van der Weg W.F., Rath J.K., Akdim M.R., Goedheer M.R. // J.Vac. Sci. Technol. Vol. A 21. N 1. P. 156--166

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.