С помощью компьютерного моделирования продемонстрирована возможность реализации абсорбционной оптической бистабильности на основе зависимости коэффициента поглощения полупроводника от лазероиндуцированного электрического поля полупроводника при воздействии высокоинтенсивного светового импульса, инициирующего сдвиг энергетических уровней атомов. Показано, что в отличие от ранее известных механизмов реализации абсорбционной оптической бистабильности, в рассматриваемом случае увеличение диффузии заряженных частиц не приводит к изменению интенсивностей переключения системы между верхним и нижним состояниями. Обнаружен режим взаимодействия лазерного излучения с полупроводником, при котором после переключения системы в верхнее состояние она остается в нем практически до тех пор, пока не исчезнет лазерный импульс. PACS: 78.40.Fy

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.