Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О возможности оптической бистабильности на основе зависимости коэффициента поглощения полупроводника от индуцированного электрического поля
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Email: vatro@cs.msu.su
Поступила в редакцию: 20 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
С помощью компьютерного моделирования продемонстрирована возможность реализации абсорбционной оптической бистабильности на основе зависимости коэффициента поглощения полупроводника от лазероиндуцированного электрического поля полупроводника при воздействии высокоинтенсивного светового импульса, инициирующего сдвиг энергетических уровней атомов. Показано, что в отличие от ранее известных механизмов реализации абсорбционной оптической бистабильности, в рассматриваемом случае увеличение диффузии заряженных частиц не приводит к изменению интенсивностей переключения системы между верхним и нижним состояниями. Обнаружен режим взаимодействия лазерного излучения с полупроводником, при котором после переключения системы в верхнее состояние она остается в нем практически до тех пор, пока не исчезнет лазерный импульс. PACS: 78.40.Fy
- Гиббс Х. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света / Пер. с англ. М.: Мир. 1988. 520 с
- Розанов Н.Н. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах. М.: Наука. 1997. 334 с
- Интернет сайт фирмы Lenslet. // www.lenslet.com
- Markowicz P.P., Tiryaki H., Pudavar H. et. al. // Phys. Rev. Lett. 2004. Vol. 92. P. 083903
- Yanik M.F., Fan S., Soljacic M., Joannopoulos J.D. // Optics Letters. 2003. Vol. 28. P. 2506--2508
- Алиев Г.Н., Голубев В.Г., Дукин А.А. и др. // ФТТ. 2002. Т. 44. N 12. С. 2125--2132
- Лысак Т.М., Трофимов В.А. // ЖВМ и МФ. 2001. Т. 41. N 8. С. 1275--1278
- Лысак Т.М., Трофимов В.А. // ЖТФ. 2001. N 11. Т. 71. С. 53--58
- Делоне Н.Б., Крайнов В.П. Нелинейная ионизация атомов лазерным излучением. М.: Физматлит. 2001. 320 с
- Варенцова С.А., Трофимов В.А. Влияние сильного светового поля на сдвиг спектра водородоподобного атома // Численные методы в математической физике. Сб. тр. факультета ВМиК МГУ / Под ред. Д.П. Костомарова, В.И. Дмитриева. М.: Изд-во факультета ВМиК МГУ. 1998. С. 67--75
- Варенцова С.А., Логинова М.М., Трофимов В.А. // Вест. моск. унив. Сер. вычис. матем. и кибернетика. 2003. N 1. С. 20
- Смит Р. Полупроводники / Пер. с англ. М.: Мир. 1982. 560 с
- Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника / Пер. с англ. М.: Мир. 1976. 431 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
