Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности формирования пленок высшего силицида марганца на кремнии

Камилов Т.С., Кабилов Д.К., Самиев И.С., Хуснутдинова Х.Х., Муминов Р.А., Клечковская В.В.¹

¹Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: tdai_kts@mail.ru

Поступила в редакцию: 18 января 2005 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности формирования пленок высшего силицида марганца (ВСМ) на кремнии и их граница раздела. На основе анализа морфологии поверхности и тонкого переходного слоя на границе раздела ВСМ-Si предполагается, что рост пленок ВСМ методом реактивной диффузии Mn обусловлен механизмом пар-жидкость-кристалл.

Hou Q.R., Wang Z.M., He Y.J. // Appl. Phys. A-Material Science and Processing. 2004. P. 1--5
Mahan J.E. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 461 (1). P. 152--159
Zaitsev V.K. // CRC Handbook of Thermoelectrics / Ed. D.M. Rome. New York; London: CRC Press, 1995. P. 299--309
Камилов Т.С., Хусанов А.Ж., Бахадырханов М.К. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. N 6. С. 100--103
Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. 176 с
Клечковская В.В., Камилов Т.С., Адашева С.И., Худайбердиев С.С., Муратова В.И. // Кристаллография. 1994. Т. 39. N 5. С. 894--899
Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. 256 с
Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1970. 540 с
Тонкие пленки: Взаимная диффузия и реакция // Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982. 676 с
Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Лань, 2001. 272 с
Самсонов Г.В., Дворина Л.А. и др. Силициды. М.: Металлургия, 1979. 447 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель