Радиационная стойкость перспективных арсенид галлиевых полевых транзисторов Шотки
Киселева Е.В.1, Китаев М.А.1, Оболенский С.В.1, Трофимов В.Т.1, Козлов В.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 17 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Исследована радиационная стойкость арсенид галлиевых полевых транзисторов Шотки с длиной канала 30-80 nm. Показано, что уровень стойкости определяется квазибаллистическими эффектами в канале транзистора и составляет 5·1014-5·1015 cm-2 быстрых нейтронов.
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
- Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с
- Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск: Университетское, 1992. 219 с
- Оболенский С.В. // Изв. вузов: Электроника. 2002. N 6. С. 67--71
- Зулиг Р. // Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988. С. 501--547
- Бобыль А.В., Конакова Р.В., Кононов В.К. и др. // Электронная техника. Сер. Управление качеством. 1992. Вып. 4--5. С. 31--40
- Демарина Н.В., Оболенский С.В. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 1. С. 66--71
- Оболенский С.В. // Микроэлектроника. 2004. N 2. С. 153--159
- Волчков Н.А., Журавлев К.С., Китаев М.А. и др. // Изв. АН. Сер. физ. 2004. Т. 68. N 1. С. 93--97
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
