О параметрах установки, определяющих скорость роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Савкина Н.С.1, Волкова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Обобщение модели, развитой в [5], позволило рассмотреть влияние геометрии ростовой ячейки, градиентов температуры и давления на скорость роста эпитаксиальных слоев SiC в вакууме. Обсуждаются полученные экспериментальные данные по зависимости температуры подложки от тока в индукционной катушке для различных положений ячейки относительно индуктора.
- Жмакин А.И., Макаров Ю.Н., Офенгейм Д.Х., Рамм М.С. // Вопросы математической физики и прикладной математики. СПб.: ФТИ РАН, 2001. С. 208--234
- Selder M., Kadinsky L., Durst F. // Там же, С. 235--252
- Kaldis E., Piechotka M. // Handbook of Crystal Growth. 1994. Vol. 2. P. 615--656
- Jensen K.F. // Ibid. Vol. 3. P. 543--599
- Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Syvajarvi M., Yakimova R. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 2. С. 153--155
- Savkina N.S., Levedev A.A., Davydov D.V., Strel'nik A.M., Tregubova A.S., Raynand C., Chante J.-P., Locatelli M.-L., Planson D., Milan J., Godignon P., Campos F.J., Mestres N., Pascual J., Brezeanu G., Badila V. // Materials Science and Engineering, 2000. Vol. B61--62. P. 50--54
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Физическая кинетика. М.: Наука, 1979. 527 с
- Klein O., Philip P. // J. Crystal Growth. 2003. Vol. 247. N 1--3. P. 219--235
- Nilsson O., Mehling H., Horn R., Fricke J., Hoffman R., Muller S.G., Eckstein R., Hoffman D. // High Temper.--High Pressure. 1Е. Vol. 29. N 1. P. 73--79
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
