Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О параметрах установки, определяющих скорость роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме

Давыдов С.Ю.¹, Лебедев А.А.¹, Савкина Н.С.¹, Волкова А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 29 апреля 2004 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обобщение модели, развитой в [5], позволило рассмотреть влияние геометрии ростовой ячейки, градиентов температуры и давления на скорость роста эпитаксиальных слоев SiC в вакууме. Обсуждаются полученные экспериментальные данные по зависимости температуры подложки от тока в индукционной катушке для различных положений ячейки относительно индуктора.

Жмакин А.И., Макаров Ю.Н., Офенгейм Д.Х., Рамм М.С. // Вопросы математической физики и прикладной математики. СПб.: ФТИ РАН, 2001. С. 208--234
Selder M., Kadinsky L., Durst F. // Там же, С. 235--252
Kaldis E., Piechotka M. // Handbook of Crystal Growth. 1994. Vol. 2. P. 615--656
Jensen K.F. // Ibid. Vol. 3. P. 543--599
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Syvajarvi M., Yakimova R. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 2. С. 153--155
Savkina N.S., Levedev A.A., Davydov D.V., Strel'nik A.M., Tregubova A.S., Raynand C., Chante J.-P., Locatelli M.-L., Planson D., Milan J., Godignon P., Campos F.J., Mestres N., Pascual J., Brezeanu G., Badila V. // Materials Science and Engineering, 2000. Vol. B61--62. P. 50--54
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Физическая кинетика. М.: Наука, 1979. 527 с
Klein O., Philip P. // J. Crystal Growth. 2003. Vol. 247. N 1--3. P. 219--235
Nilsson O., Mehling H., Horn R., Fricke J., Hoffman R., Muller S.G., Eckstein R., Hoffman D. // High Temper.--High Pressure. 1Е. Vol. 29. N 1. P. 73--79

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель