Вышедшие номера
Механизмы распространения поверхностного сверхвысокочастотного разряда
Шибков В.М.1, Двинин С.А.1, Ершов А.П.1, Шибкова Л.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: shibkov@ph-elec.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 22 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Исследован микроволновый разряд на внешней поверхности диэлектрического тела. Экспериментально показано, что скорость распространения сверхвысокочастотного разряда вдоль поверхности диэлектрической антенны максимальна в начальной стадии импульса и растет с увеличением подводимой мощности. Волна пробоя определяет скорость распространения поверхностного разряда в первые моменты его возникновения (t=1-3 mus). Амбиполярная диффузия ответственна за механизм распространения разряда в стадии его развития (t=3-100 mus), тогда как механизм медленного горения возможен только на стационарной стадии существования разряда (t>100 mus). Электрическое поле локализовано в тонком приповерхностном слое толщиной ~1 mm. Большое значение приведенного электрического поля E/n=100-500 Td ведет к эффективному вкладу энергии в плазму, т. е. к быстрому нагреву газа и эффективной наработке активных и заряженных частиц, что важно для использования данного типа разряда в сверхзвуковой аэродинамике.