Вышедшие номера
Фотоэлектрохимические ячейки H2O/CuIn3Se5: создание и свойства
Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rudvas@spbstu.ru
Поступила в редакцию: 17 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава в горизонтально расположенном тигле выращены однофазные крупноблочные слитки CuIn3Se5. На основе контакта этих кристаллов с электролитом (H2O) созданы фоточувствительные структуры. Показано, что тройное соединение CuIn3Se5 обладает прямыми межзонными переходами с шириной запрещенной зоны Eg~= 1.1 eV (T=300 K). Отмечены перспективы применения фотоэлектрохимических ячеек H2O/CuIn3Se5 для создания высокоэффективных широкополосных фотодетекторов естественного излучения.
  1. Lundberg O., Edoff M., Stolt L. // ISES 2003. Abstract book. Solar World Congress. Goteborg (Sweden), 2003
  2. Razykov T.M. // ISES 2003. Abstrac book. Solar World Congress. Goteborg (Sweden), 2003
  3. Боднарь И.В., Гременюк В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ФТП. 1999. Т. 33. N 7. С. 805--809
  4. Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. // ФТП. 2002. Т. 36. N 10. P. 1211--1214
  5. Martin G., Marques R., Guevara R. // Jap. J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. N 1. P. 44--46
  6. Wei S.H., Tsang S.D., Zunger A. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 72. N 24. P. 3199--3201
  7. Blakemore J.S. Semiconductor statistic. New York: Pergamon Press, 1962
  8. Рудь Ю.В., Таиров М.А. // ФТП. 1987. Т. 21. N 4. С. 615--619
  9. Горячев Д.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А. // ФТП. 1989. Т. 23. N 2. С. 312--315
  10. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. New York: Willey Interscience Publ., 1981
  11. Боднарь И.В., Никитин С.Е., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ФТП. 2004. Т. 38. N 9. С. 1228--1233

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.