Вышедшие номера
Зависимость устойчивости транспортировки сильноточного релятивистского электронного пучка в плотных газовых средах от параметров создаваемого плазменного канала
Кондратьев Н.А.1, Сметанин В.И.1
1Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете, Томск, Россия
Email: alex@npi.tpu.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Представлены результаты по определению динамики плазменного канала, созданного сильноточным электронным пучком (энергия электронов Ee=1.1·106 eV, ток пучка Ib=2.4·104 A, длительность импульса t=60·10-9 s) в газах: гелий (He), азот (N2), неон (Ne), воздух (Air), аргон (Ar), криптон (Kr), ксенон (Xe), влажный воздух (Air : H2O) при давлении от 1 до 760 Torr. Экспериментально подтверждено, что в газах, имеющих малое значение отношения частоты столкновений nu к скорости ионизации газа ui, электронный пучок формирует широкий плазменный канал высокой проводимости Rb/Rp<1 (где Rb - радиус пучка, Rp - радиус плазменного канала), обеспечивающий подавление крупномасштабной резистивной шланговой неустойчивости (РШН).