Представлены результаты исследования процессов кристаллизации при центрифугировании систем Al-Si, Al-Ge и Al-Si-Ge. Из них система Al-Si наименее подвержена седиментации, в то время как в системах Al-Ge и Al-Si-Ge седиментация приводит к значительному изменению структуры сплавов внизу образца по сравнению с его верхом. Как правило, для определенных концентраций низ образцов содержит больше кристаллов и они значительно массивнее, чем вверху. В системе Al-Si-Ge соотношение Si : Ge по сравнению с исходным (1:1) при изменении концентрации (Si + Ge) в результате центрифугирования увеличивается в 2-12 раз; оно изменяется также при перемещении по поверхности кристаллов от одного их края к другому (в отличие от нецентрифугируемых образцов, у которых при таком перемещении соотношение остается постоянным); все кристаллы в этой системе покрываются Ge.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.