Вышедшие номера
Технология получения полупроводниковых микрорезонаторов и фотонных кристаллов
Аракчеева Е.М.1, Нащекин А.В.1, Соловьев В.А.1, Танклевская Е.М.1, Максимов М.В.1, Конников С.Г.1, Гуревич С.А.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kathy.quantum@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Описана технология получения микрорезонаторов и фотонных кристаллов в структурах на основе GaAs с использованием электронной литографии и реактивного ионного травления. Было получено 2 типа структур: с микростолбиками и фотонными кристаллами, представляющими собой квадратную и гексагональную решетки отверстий в планарной волноводной структуре. Минимальный диаметр микростолбиков составил 100 nm, высота - 700 nm. Размер отверстия фотонных кристаллов контролируемым образом варьировался от 140 до 500 nm, период фотонного кристалла от 400 до 1000 nm. Глубина травления фотонных кристаллов составила более 350 nm.
  1. Purcell E.M. // Phys. Rev. 1946. Vol. 69. P. 681
  2. Gerard J.M., Sermage B., Gayral B. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 81. N 5. P. 1110--1113
  3. Zhiliang Yuan, Kardynal B.E., Stevenson R.M. et al. // Science. 2002. Vol. 295. P. 102--105
  4. Microcavities and Photonic Bandgaps: Physics and Application / Ed. C. Weisbuch, J. Rarity. NATO ASI. Ser. E. Vol. 324 (Kluwer, Dordrechet, 1996)
  5. La Rue R.De, Smith Ch. // Nature. 2000. Vol. 408. P. 653--656
  6. Erchak A.A., Ripin D.J., Fan Sh. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. P. 563--565
  7. Benisty H., Weisbuch C., Labilloy D. et al. // J. Lightwave Techn. 1999. Vol. 17. P. 2063--2077

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.