Описана технология получения микрорезонаторов и фотонных кристаллов в структурах на основе GaAs с использованием электронной литографии и реактивного ионного травления. Было получено 2 типа структур: с микростолбиками и фотонными кристаллами, представляющими собой квадратную и гексагональную решетки отверстий в планарной волноводной структуре. Минимальный диаметр микростолбиков составил 100 nm, высота - 700 nm. Размер отверстия фотонных кристаллов контролируемым образом варьировался от 140 до 500 nm, период фотонного кристалла от 400 до 1000 nm. Глубина травления фотонных кристаллов составила более 350 nm.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.