Влияние диэлектрической пленки SrF2 на люминесцентные свойства n-InP
Агаев В.В.1, Созаев В.А.1, Яблочкина Г.И.1
1Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) Владикавказ, Россия
Email: skgtu@skgtu.ua
Поступила в редакцию: 30 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Показано, что в качестве эффективных защитных покрытий пленок фосфида индия можно использовать SrF2, который способствует снижению скорости поверхностной рекомбинации из-за близости параметров решеток. В результате этого повышается внешний квантовый выход излучательной рекомбинации.
- Стафеев В.И., Анисимов И.Д. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 3. С. 461--466
- Анисимова И.М., Викулин И.М., Заитов Ф.А., Курмашев Ш.Д. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. М.: Радио и связь, 1984. 216 с
- Филачев А.М., Пономаренко В.П., Таубкин И.И. и др. // Прикладная физика. 2002. N 6. С. 52--61
- Гарбузов Д.З., Агаев В.В., Гореленок А.Т. // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 9. С. 1538--1542
- Гарбузов Д.З., Агафонов В.Г., Агаев В.В., Лантратов В.М., Чудинов А.В. // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 12. С. 2168--2172
- Hoffman G.A., Gerritsen J. // J. Appl. Phys. 1980. Vol. 51. N 3. P. 1603--1604
- Kim T.S., Lester S.D., Streetman B.G. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61 (5). N 1 March. P. 2072--2074
- Баншиков А.Г., Кимель А.В., Павлов В.В., Писарев Р.В., Соколов Н.С. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 5. С. 884--892
- Гастеев С.В., Иванова С.Э., Соколов Н.С., Сутурин С.М., Лангер Е.М. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 8. С. 1385--1389
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук