"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
О возможности осцилляций поперечного размера домена высокой концентрации свободных электронов при воздействии короткого светового импульса на полупроводник
Логинова М.М.1, Трофимов В.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: vatro@cs.msu.su
Поступила в редакцию: 24 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

На основе компьютерного моделирования продемонстрирована возможность появления осцилляций поперечного размера домена высокой концентрации свободных электронов при воздействии светового импульса на нелинейно поглощающий полупроводник. Результаты компьютерного моделирования подтверждены аналитически на основе исследования устойчивости системы.
  1. Гиббс Х. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света. Пер. с англ. М.: Мир, 1988. 520 с
  2. Розанов Н.Н. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах. М.: Наука, 1997. 334 с
  3. Гуназе О.А., Трофимов В.А. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 21. С. 69--73
  4. Бондаренко О.С., Трофимов В.А. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 19. С. 6--9
  5. Смит Р. Полупроводники. Пер. с англ. М.: Мир, 1982. 560 с
  6. Эльсгольц Л.Э. Дифференциальные уравнения и вариационное исчисление. М.: Наука, 1969

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.