Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Бесконтактный метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик

Крячко В.В.¹, Левин М.Н.¹, Татаринцев А.В.¹, Бормонтов Е.Н.¹

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Email: levin@lev.vsu.ru

Поступила в редакцию: 26 ноября 2003 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлен метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик по измерению контактной разности потенциалов между поверхностью диэлектрической пленки и вибрирующим зондом, в котором поверхностный электростатический потенциал варьируется изменением заряда на внешней поверхности диэлектрика. Величина заряда задается временем выдержки структуры в коронном разряде. Приведены результаты использования метода при исследовании воздействия на систему кремний-диоксид кремния радиации и импульсных магнитных полей.

Terman I.M. // Sol. St. Electron. 1962. Vol. 5. P. 285--299
Nicollian E.N., Goetzberger A. // IEEE Trans. on ED. 1965. Vol. ED-12. N 3. P. 108--117
Berglund C.N. // IEEE Trans. on ED. 1966. Vol. ED-13. N 10. P. 701--705
Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вища школа, 1984. 214 с
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с
Lenahan P.M., Dressendorfer P.V. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 55. N 10. P. 3495--3499
Jupina M.A., Lenahan P.M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. Vol. NS-37. N 6. P. 1650--1657
Nicollian E.N., Goetzberger A. // Bell Syst. Tech. J. 1967. Vol. 46. N 5. P. 1055--1133
Будко В.Н., Крячко В.В. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. Т. 5. N 2. С. 155--161
Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / Ed. T.P. Ma, P.V. Dressendorfer. New York: Wiley Interscience, 1989. 760 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель