Влияние поверхностного состава на плавление тонких пленок InSb
Гуляев Ю.В.1, Веселов А.А.1, Веселов А.Г.1, Бурылин Е.И.1, Джумалиев А.С.1, Зюрюкин Ю.А.1, Кирясова О.А.1, Рябушкин С.Л.1
1Саратовское отделение Института радиотехники и электроники РАН, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Показана возможность плавления тонких (0.1-0.5 mum) пленок InSb непосредственно в атмосфере под защитным слоем собственных окислов с целью получения высокой величины подвижности основных носителей (до 25 000 cm2/V·s). Экспериментально исследованы особенности синтеза пленок, в основу которого положено термическое импульсное испарение порошка InSb в вакууме. Технология позволила обеспечить необходимую неоднородность состава осажденной пленки по толщине для последующего плавления на воздухе.
- Касьян В.А., Кетруш П.И., Никольский Ю.А., Пасечник Ф.И. Тонкие пленки антимонида индия. Кишинев: Штиница, 1989
- Петросян В.И., Веселов А.Г., Синицин Н.И. и др. // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. Вып. 6
- Веселов А.Г., Рябушкин С.Л., Шулер И.Я. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 11
- Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. радио, 1974
- Веселов А.Г., Котелянский И.М., Крикунов А.И. и др. Способ получения тонких пленок антимонида индия. АС. СССР. N 713179. 1979
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.