Вышедшие номера
Нелинейное взаимодействие бегущих решеток объемного заряда и фотопроводимости в кристалле Bi12SiO20
Брюшинин М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mb@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Экспериментально исследуется эффект нелинейного взаимодействия бегущих решеток объемного заряда и фотопроводимости. Для наблюдения этого эффекта кристалл с приложенным постоянным электрическим полем освещается колеблющейся интерференционной картиной с пространственной частотой K и частотой колебаний omega. К образцу прикладывается также переменное электрическое поле с частотой Omega. При определенном выборе частот omega и Omega в кристалле происходит совместное возбуждение и взаимодействие двух собственных типов колебаний: решетки объемного заряда, бегущей со скоростью |omega-Omega|/K, и решетки фотопроводимости, бегущей со скоростью -omega/K. Исследования эффекта проведены с помощью метода нестационарной фотоэдс в фоторефрактивном кристалле Bi12SiO20.