Вышедшие номера
Температура электронов в распадающейся плазме криптона в присутствии слабых электрических полей
Горбунов Н.А.1, Колоколов Н.Б.1, Латышев Ф.Е.1, Мельников А.С.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Email: gorbunov@paloma.spbu.ru
Поступила в редакцию: 28 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

При помощи зондовой диагностики и теоретического анализа исследовано влияние слабых электрических полей на величину средней энергии электронов в плазме послесвечения криптона. Показано, что в рассматриваемых условиях, когда средняя энергия электронов меньше энергии, соответствующей минимуму транспортного сечения рассеяния, степень ионизации плазмы существенным образом влияет на вид функции распределения электронов по энергии (ФРЭЭ). Неравновесный вид ФРЭЭ приводит к концентрационной зависимости коэффициента амбиполярной диффузии, изменению радиального распределения плотности заряженных частиц, росту амбиполярной разности потенциалов в плазме и скорости диффузионного распада. Указанные эффекты приводят к значительному увеличению диффузионного остывания электронов, что может являться определяющим фактором, влияющим на баланс энергии электронов в тяжелых инертных газах.
  1. Хаксли Л., Кромптон Р. Диффузия и дрейф электронов в газах. М.: Мир, 1977. 672 с
  2. Александров Н.Л., Кончаков А.М., Сон Э.Е. // ЖТФ. 1980. Т. 50. N 3. С. 481--486
  3. Герасимов Г.Н., Малешин М.Н., Петров С.Я. // Опт. и спектр. 1985. Т. 59. N 4. С. 930--932
  4. Иванов В.А., Приходько А.С. // ЖТФ. 1986. Т. 56. Вып. 10. С. 2010--2013
  5. Dyatko N.A., Napartovich A.P. // Contrib, Papers 16-=SUP=-th-=/SUP=- ESCAMPIG. Grenoble, 2002, P. 215
  6. Александров Н.Л., Демьянов А.В., Кочетов И.В. и др. // Физика плазмы. 1997. Т. 23. N 7. С. 658--663
  7. Дятко Н.А., Капителли М., Напартович А.П. // Физика плазмы. 1999. Т. 25. N 3. С. 274--282
  8. Горбунов Н.А., Мельников А.С. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 14--19
  9. Голант В.Е., Жилинский А.П., Сахаров И.Е. Основы физики плазмы. М.: Атомиздат, 1977. 384 с
  10. Жилинский А.П., Ливенцева И.Ф., Цендин Л.Д. // ЖТФ. 1977. Т. 47. Вып. 2. С. 304--311
  11. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках. Санкт-Петербург: Наука, 1999. 390 с
  12. Горбунов Н.А., Копытов А.Н., Латышев Ф.Е. // ЖТФ. 2002. Т. 72. N 8. С. 7--12
  13. Pack J.L., Voshall R.E., Phelps A.V. et al. // J. Appl. Phys. 1992. Vol. 71. P. 5363--5371
  14. Мориц А.П., Бочкова О.П. // Метастабильные состояния атомов и молекул и методы их исследования. Чебоксары: Наука, 1982. Вып. 5. С. 140--153
  15. Колоколов Н.Б., Терехова О.В. // Опт. и спектр. 1999. Т. 86. N 4. С. 547--551
  16. Arslanbekov R.R., Kudryavtsev A.A. // Phys. Rev. E. 1998. Vol. 58. N 6. P. 7785--7798
  17. Горбунов Н.А., Колоколов Н.Б., Латышев Ф.Е. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 4. С. 28--35
  18. Рожанский В.А., Цендин Л.Д. Столкновительный перенос в частичноионизованной плазме. М.: Энергоатомиздат, 1988. 247 с
  19. Голубовский Ю.Б., Каган Ю.М., Лягущенко Р.И. // ЖЭТФ. 1969. Т. 57. N 6. С. 2222--2229
  20. Горбунов Н.А., Колоколов Н.Б., Латышев Ф.Е. // Физика плазмы. 2001. Т. 27. N 12. С. 1143--1152
  21. Колоколов Н.Б., Кудрявцев А.А., Торонов О.Г. // ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 10. С. 1920--1927
  22. Tsendin L.D. // Plasma Sources Sci. Techn. 1995. Vol. 4. N 2. P. 200--211
  23. Kolobov I.V., Godyak V.A. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1995. Vol. 23. N 4. P. 503--531
  24. Uhrlandt D., Winkler R. // J. Phys. D. 1996. Vol. 29. N 1. P. 115--120
  25. Голубовский Ю.Б., Порохова И.А. // Опт. и спектр. 1999. Т. 86. N 6. С. 960--968
  26. Цендин Л.Д. // ЖЭТФ. 1974. Т. 66. Вып. 5. С. 1638--1650

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.