Температура электронов в распадающейся плазме криптона в присутствии слабых электрических полей
Горбунов Н.А.1, Колоколов Н.Б.1, Латышев Ф.Е.1, Мельников А.С.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Email: gorbunov@paloma.spbu.ru
Поступила в редакцию: 28 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
При помощи зондовой диагностики и теоретического анализа исследовано влияние слабых электрических полей на величину средней энергии электронов в плазме послесвечения криптона. Показано, что в рассматриваемых условиях, когда средняя энергия электронов меньше энергии, соответствующей минимуму транспортного сечения рассеяния, степень ионизации плазмы существенным образом влияет на вид функции распределения электронов по энергии (ФРЭЭ). Неравновесный вид ФРЭЭ приводит к концентрационной зависимости коэффициента амбиполярной диффузии, изменению радиального распределения плотности заряженных частиц, росту амбиполярной разности потенциалов в плазме и скорости диффузионного распада. Указанные эффекты приводят к значительному увеличению диффузионного остывания электронов, что может являться определяющим фактором, влияющим на баланс энергии электронов в тяжелых инертных газах.
- Хаксли Л., Кромптон Р. Диффузия и дрейф электронов в газах. М.: Мир, 1977. 672 с
- Александров Н.Л., Кончаков А.М., Сон Э.Е. // ЖТФ. 1980. Т. 50. N 3. С. 481--486
- Герасимов Г.Н., Малешин М.Н., Петров С.Я. // Опт. и спектр. 1985. Т. 59. N 4. С. 930--932
- Иванов В.А., Приходько А.С. // ЖТФ. 1986. Т. 56. Вып. 10. С. 2010--2013
- Dyatko N.A., Napartovich A.P. // Contrib, Papers 16th ESCAMPIG. Grenoble, 2002, P. 215
- Александров Н.Л., Демьянов А.В., Кочетов И.В. и др. // Физика плазмы. 1997. Т. 23. N 7. С. 658--663
- Дятко Н.А., Капителли М., Напартович А.П. // Физика плазмы. 1999. Т. 25. N 3. С. 274--282
- Горбунов Н.А., Мельников А.С. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 14--19
- Голант В.Е., Жилинский А.П., Сахаров И.Е. Основы физики плазмы. М.: Атомиздат, 1977. 384 с
- Жилинский А.П., Ливенцева И.Ф., Цендин Л.Д. // ЖТФ. 1977. Т. 47. Вып. 2. С. 304--311
- Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках. Санкт-Петербург: Наука, 1999. 390 с
- Горбунов Н.А., Копытов А.Н., Латышев Ф.Е. // ЖТФ. 2002. Т. 72. N 8. С. 7--12
- Pack J.L., Voshall R.E., Phelps A.V. et al. // J. Appl. Phys. 1992. Vol. 71. P. 5363--5371
- Мориц А.П., Бочкова О.П. // Метастабильные состояния атомов и молекул и методы их исследования. Чебоксары: Наука, 1982. Вып. 5. С. 140--153
- Колоколов Н.Б., Терехова О.В. // Опт. и спектр. 1999. Т. 86. N 4. С. 547--551
- Arslanbekov R.R., Kudryavtsev A.A. // Phys. Rev. E. 1998. Vol. 58. N 6. P. 7785--7798
- Горбунов Н.А., Колоколов Н.Б., Латышев Ф.Е. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 4. С. 28--35
- Рожанский В.А., Цендин Л.Д. Столкновительный перенос в частичноионизованной плазме. М.: Энергоатомиздат, 1988. 247 с
- Голубовский Ю.Б., Каган Ю.М., Лягущенко Р.И. // ЖЭТФ. 1969. Т. 57. N 6. С. 2222--2229
- Горбунов Н.А., Колоколов Н.Б., Латышев Ф.Е. // Физика плазмы. 2001. Т. 27. N 12. С. 1143--1152
- Колоколов Н.Б., Кудрявцев А.А., Торонов О.Г. // ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 10. С. 1920--1927
- Tsendin L.D. // Plasma Sources Sci. Techn. 1995. Vol. 4. N 2. P. 200--211
- Kolobov I.V., Godyak V.A. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1995. Vol. 23. N 4. P. 503--531
- Uhrlandt D., Winkler R. // J. Phys. D. 1996. Vol. 29. N 1. P. 115--120
- Голубовский Ю.Б., Порохова И.А. // Опт. и спектр. 1999. Т. 86. N 6. С. 960--968
- Цендин Л.Д. // ЖЭТФ. 1974. Т. 66. Вып. 5. С. 1638--1650
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук