"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения 60Co на формирование омических контактов в структурах металл-GaAs (AlxGa1-xAs)
Борковская О.Ю.1, Дмитрук Н.Л.1, Ермолович И.Б.1, Конакова Р.В.1, Миленин В.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: konakova@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Исследовались особенности формирования невыпрямляющих контактов AuGe-GaAs (Al0.4Ga0.6As), подвергнутых термобработкам, облучению gamma-квантами 60Co и комбинированным воздействиям gamma-облучения при приложении к структурам электрического смещения. Установлены корреляционные зависимости между характером межфазовых взаимодействий в структурах и величиной их контактного сопротивления. Полученные результаты интерпретируются с позиций диффузионной модели при условии перемещения границы металллического слоя.
  • Rideout V.L. // Solid. State. Electron. 1975. Vol. 18. P. 541--550
  • Стриха В.И., Попова Г.Д., Бузанева Е.В. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1975. N 20. С. 20--34
  • Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 208 с
  • Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера: М.: Мир, 1982. 576 с
  • Braslau N. // Thin Solid Films. 1983. Vol. 104. P. 391
  • Piotrowska A., Guivarch A., Pelous G. // Solid State Electron. 1983.Vol. 26. N 3. P. 179--197
  • Лапшинов Б.А., Камнев А.Б., Кравченко Л.Н., Оплеснин В.Л. // Зарубежная электронная техника. 1987. N 5 (132). С. 58--84
  • Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988. 555 с
  • Ионная имплантация и лучевая технологии / Под ред. Дж. С. Вильямса, Дж. Поута. Киев: Наукова Думка, 1988. 360 с
  • Коганович Э.Б., Свечников С.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1991. Вып. 22. С. 3--21
  • Гольдберг Ю.А. // ФТП. 1994. Т. 28. С. 1681--1998
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 с
  • Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
  • Фельдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности тонких пленок/ Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 344 с
  • Kwok S.P. // J. Cac. Sci. Technol. 1986. P. 1383--1391
  • Cheuag N.W., Grunthaner P.J., Grunthaner F.J., Mayer J.W., Ullrich B.M. // J. Vac. Sci. Technol. 1981. Vol. B4. N 18. P. 917--923
  • Gynlai J., Mager J.W., Rodriquez V., Yu A.Y.C., Gopen H.J. // Journ. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. P. 3578--3585
  • Kuan T.S., Batson P.E., Jackson T.N., Rupprecht H., Wilkie E.L. // J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. P. 6952--6957
  • Kulkarui A.K., Lai C. // J. Vac. Sci. Technol. 1988. Vol. A6. P. 1531--1534
  • Абдулаев Г.Б., Джафаров Г.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат. 1980. 280 с
  • Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках М.: Изд-во. ФМЛ, 1961. С. 462
  • Груша С.А., Конакова Р.В., Миленин В.В. и др. // ЭТ. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1990. Вып. 45 (208). С. 68--72
  • Kramer B., Tomasch G., Ray M. et. al. // J. Vac. Sci. Technol. 1988. Vol. A6. P. 1572--1574
  • Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 200--202
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.