Неохлаждаемые термочувствительные элементы на основе кристаллических полупроводников
Несмелова И.М.1, Цицина Н.П.1, Андреев В.А.1
1Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 3 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
На примере монокристаллов антимонида индия рассмотрена возможность создания неохлаждаемых термочувствительных элементов для ИК области спектра. Рассчитаны оптимальные электрические параметры InSb для получения болометрических элементов с максимальной чувствительностью. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными, полученными на термодатчиках из антимонида индия.
- Линевег Ф. Измерение температур в технике. Москва, Металлургия, 1980
- Зеров В.Ю., Маляров В.Г. // Оптический журнал. 2001. Т. 68. С. 88
- Oszwaldowski M., Zimpel M. // J. Phys. Chem. Solids. 1988. Vol. 49. P. 1179
- Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
