Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пленки фуллерена с высокой лазерной устойчивостью
Ходорковский М.А., Мурашов С.В., Артамонова Т.О., Шахмин А.Л., Беляева А.А., Давыдов В.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: mkhodorkovskii@rscac.spb.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
Проведено исследование влияния лазерного воздействия на фазовый состав тонких пленок фуллерена. С помощью метода комбинационного рассеяния показано, что пленки фуллерена, нанесенные с использованием сверхзвукового молекулярного пучка, сохраняют структуру фуллеренов при плотности мощности, в сотни раз большей, чем пленки, нанесенные методом термического осаждения. Возможной причиной лазерной устойчивости является быстрая полимеризация пленок с образованием линейных и многомерных структур.
- Елецкий А.В., Смирнов Б.М. // УФН. 1995. Т. 165. Вып. 9. С. 977--1009
- Hoshi H., Nakamura N., Maruyama Y. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1991. Vol. 30. P. L1397--L1398
- Kost A., Tutt L., Klein M. et al. // Opt. Lett. 1993. Vol. 18. N 5. P. 334--336
- Ходорковский М.А., Шахмин А.Л., Мурашов С.В. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 10. С. 20--23
- Zhou Ping, Dong Zheng-Hogn, Rao A.M. et al. // Chem. Phys. Lett. 1993. Vol. 211. N 4, 5. P. 337--340
- Wang Ying, Holden J.M., Eklund P.C. et al. // Chem. Phys. Lett. 1994. Vol. 217. N 4. P. 413--417
- Wang Ying, Holden J.M., Dong Zheng-Hong et al. // Chem. Phys. Lett. 1993. Vol. 211. N 4, 5. P. 341--345
- Rao A.M., Zhou Ping, Wang Kai-An et al. // Science. 1993. Vol. N 259. P. 955--957
- Akselrod L., Byrne H.B., Tomsen C. et al. // Chem. Phys. Lett. 1993. Vol. 215. N 1--3. P. 131--136
- Макарова Т.Л. // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. Вып. 3. С. 257--293
- Nunez-Regueiro M., Marques L., Hodeau J-L. et al. // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 74. N 2. P. 278--281
- Rao A.M., Eklund P.C., Hodeau J-L. et al. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55. N 7. P. 4766--4773
- Ходорковский М.А., Мурашов С.В., Артамонова Т.О. и др. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 5. С. 1--4
- Бриггс Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987. 598 с
- Senyavin V.N., Davydov V.A., Kashevarova L.S. et al. // Chem. Phys. Lett. 1999. Vol. 313. P. 421--425
- Wagberg T., Jacobsson P., Sundqvist B. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. N 7. P. 4535--4538
- Mominuzzaman S.M., Krishna K.M., Soga T. et al. // Carbon. 2000. Vol. 38. P. 127--131
- Haluska M., Kuzmany H., Vybornov M. et al. // Appl. Phys. A. 1993. Vol. 56. P. 161--167
- Itoch S., Ordejon P., Drabold D.A. et al. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 53. N 4. P. 2132--2140
- Gravil P.A., Devil M., Lambin Ph. et al. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 53. N 3. P. 1622--1629
- Girard Gh., Lambin Ph., Dereux A. et al. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. N 16. P. 11 425--11 331
- Шахмин А.Л., Ходорковский А.М., Мурашов С.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 3. С. 1--6
- Wegscheider S., Krisch A., Mlynek J. et al. // Thin Solid Films. 1995. Vol. 264. P. 264--267
- Shintani T., Nakamura K., Hosaka S. et al. // Ultramicroscopy. 1995. Vol. 61. P. 285--290
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
