Вышедшие номера
К теории динамических изменений поверхности во время высокотемпературного полевого испарения
Шредник В.Н.1, Глазанов Д.В.1, Конторович Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Рассматривается нагретая поверхность металлического острия, к которой приложено сильное электрическое поле. При температурах, достаточных для активации поверхностной самодиффузии, на поверхности вырастают кристаллические наросты и мелкие микровыступы. Последние в случае приложения к эмиттеру положительного потенциала, оказываются источниками ионных потоков высокотемпературного полевого испарения. Рассматриваются условия существования на поверхности эмиттера большего или меньшего количества микровыступов, относительная устойчивость которых обеспечивается балансом между тремя потоками: диффузионным от вершины, диффузионным к вершине и потоком полевого испарения с вершины. Обсуждаются различные возможности реализации такого баланса. В десорбционном полевом ионном микроскопе микровыступы, испаряющие ионы, визуализируются как более или менее яркие пятна. На фоне хаотичного движения таких пятен выделяются упорядоченные циклические их перемещения: микровыступы выстраиваются в виде пунктирных колец вдоль контура развитых граней кристаллического эмиттера, а затем эти кольца стремительно "схлопываются" к центру грани. Впервые построена количественная теория этих циклических процессов, объясняющая "замирание" кольца перед схлопыванием и лавинно ускоряющийся после этого процесс самого схлопывания. Рассчитывалось распределение напряженности электрического поля вдоль поверхности в случае существования на ней нароста, и анализировались диффузионные потоки на разных стадиях его роста и растворения. Анализ результатов расчетов показал, что высота наростов относительно невелика, а их склоны сравнительно пологие.
  1. Шредник В.Н. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1980. Т. 13. С. 68--79
  2. Власов Ю.А., Павлов В.Г., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 9. С. 548--552
  3. Shrednik V.N. // 7th Intern. Vac Microel. Conf. Rev. "Le vide les Couches Minces". 1994. Supplement on N 271. P. 420--421
  4. Шредник В.Н. // Микроэлектроника. 1997. Т. 26. Вып. 2. С. 97--101
  5. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1988. Т. 52. Вып. 8. С. 1538--1543
  6. Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 8. С. 86--91
  7. Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 3. С. 97--106
  8. Павлов В.Г., Рабинович А.А., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1977. Т. 47. Вып. 2. С. 405--409
  9. Golubev O.L., Shrednik V.N. // Proc. XVI Inter. Symp. on Discharges and Electrical Insulation in Vacuum. 1994. P. 473--476
  10. Логинов М.В., Шредник В.Н. // ЖТФ. Т. 67. Вып. 8. С. 102--109
  11. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1991. Т. 19. С. 5--21
  12. Herring C. // Structure and Properties of Solid Surfaces. Chicago: University Press, 1953. P. 5--81

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.