Вышедшие номера
Эффективный потенциал плоскостного каналирования в кристалле LiH
Корхмазян Н.А.1, Корхмазян Н.Н.1, Бабаджанян Н.Э.1
1Армянский государственный педагогический университет им. Х. Абовяна, Ереван, Армения
Email: norayrk@web.am
Поступила в редакцию: 15 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Рассмотрена задача об определении эффективных потенциалов каналирования вдоль заряженных плоскостей (111) и (111) в конечном кристалле LiH. Получены критерии применимости формул в случае бесконечного кристалла. Дана оценка величины поверхностного слоя кристалла, где эти формулы не применимы.