Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2003, выпуск 7 » Статья стр. 88
<<<>>>
Модификация GaAs ионами N+2 средних энергий
Гордеев Ю.С.1, Брызгалов В.В.1, Макаренко Б.Н.1, Микушкин В.М.1, Конников С.Г.1, Брунков П.Н.1, Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.
PDF версия
Методом оже-электронной спектроскопии исследована модификация GaAs под действием пучка смеси ионов N+2 и Ar+ с энергией 2500 eV. Установлено, что большая часть имплантированных атомов азота химически взаимодействует с матрицей, замещая в ней атомы мышьяка. В результате образуется слой однофазного твердого раствора GaAs1-xNx (x=6%) толщиной несколько нанометров. Примесь фазы GaN не наблюдается. В слое и на его поверхности присутствуют атомы вытесненного мышьяка и азота, не вступившего в реакцию с матрицей. Первые объединяются в сегрегат, а вторые - в молекулы.
  1. Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 15. P. R41--R54
  2. Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов В.М., E.R. Weber // ЖТФ. 2001. Т. 71. С. 59--64
  3. Kurtz S.R., Mayers D., Olsen J.M. // Proc. 26th IEEE Photovoltaics Spec. Conf. New York, 1997. P. 875
  4. Weyers M., Sato M. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. P. 1396--1398
  5. Sato M. // J. Cryst. Growth. 1994. Vol. 145. P. 99--103
  6. Orton J.W., Lacklison D.E., Baba-Ali N. et al. // J. Electron Mater. 1995. Vol. 24. P. 263--268
  7. Foxon C.T., Cheng T.S., Novikov S.V. et al. // J. Cryst. Growth. 1995. Vol. 150. P. 892--896
  8. Bi W.G., Tu C.W. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. P. 1608--1610
  9. Toivonen J., Hakkarainen T., Sopanen M., Lipsanen H. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 221. P. 456--460
  10. Moody B.F., Barletta P.T., El-Masry N.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 2475--2477
  11. De Louise L.A. // J. Vac. Sci. Technol. 1993. Vol. A11. P. 609--614
  12. Hecht J.-D., Frost F., Hirsch D. et al. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90. P. 6066--6069
  13. Сих М.П., Бриггс Д. // Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987. С. 203--220
  14. Aksenov I., Iwai H., Nakada Y., Okumura H. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. Vol. B 17. P. 1525--1539
  15. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. 3rd ed. Physical Electronics. Eden Prairie, 1995

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme