Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модификация GaAs ионами N⁺₂ средних энергий

Гордеев Ю.С.¹, Брызгалов В.В.¹, Макаренко Б.Н.¹, Микушкин В.М.¹, Конников С.Г.¹, Брунков П.Н.¹, Устинов В.М.¹, Жуков А.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 ноября 2002 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

PDF версия

Методом оже-электронной спектроскопии исследована модификация GaAs под действием пучка смеси ионов N⁺₂ и Ar⁺ с энергией 2500 eV. Установлено, что большая часть имплантированных атомов азота химически взаимодействует с матрицей, замещая в ней атомы мышьяка. В результате образуется слой однофазного твердого раствора GaAs_1-xN_x (x=6%) толщиной несколько нанометров. Примесь фазы GaN не наблюдается. В слое и на его поверхности присутствуют атомы вытесненного мышьяка и азота, не вступившего в реакцию с матрицей. Первые объединяются в сегрегат, а вторые - в молекулы.

Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 15. P. R41--R54
Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов В.М., E.R. Weber // ЖТФ. 2001. Т. 71. С. 59--64
Kurtz S.R., Mayers D., Olsen J.M. // Proc. 26^th IEEE Photovoltaics Spec. Conf. New York, 1997. P. 875
Weyers M., Sato M. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. P. 1396--1398
Sato M. // J. Cryst. Growth. 1994. Vol. 145. P. 99--103
Orton J.W., Lacklison D.E., Baba-Ali N. et al. // J. Electron Mater. 1995. Vol. 24. P. 263--268
Foxon C.T., Cheng T.S., Novikov S.V. et al. // J. Cryst. Growth. 1995. Vol. 150. P. 892--896
Bi W.G., Tu C.W. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. P. 1608--1610
Toivonen J., Hakkarainen T., Sopanen M., Lipsanen H. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 221. P. 456--460
Moody B.F., Barletta P.T., El-Masry N.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 2475--2477
De Louise L.A. // J. Vac. Sci. Technol. 1993. Vol. A11. P. 609--614
Hecht J.-D., Frost F., Hirsch D. et al. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90. P. 6066--6069
Сих М.П., Бриггс Д. // Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987. С. 203--220
Aksenov I., Iwai H., Nakada Y., Okumura H. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. Vol. B 17. P. 1525--1539
Handbook of Auger Electron Spectroscopy. 3^rd ed. Physical Electronics. Eden Prairie, 1995

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель